Disponibili in volumi i nuovi MOSFET SiC di Toshiba

Toshiba Electronics Europe ha iniziato le consegne in volumi dei suoi nuovi MOSFET SiC da 650 V di terza generazione. Siglati TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C e TW123V65C, questi componenti utilizzano un package compatto di tipo DFN8x8 per apparecchiature industriali.

Le caratteristiche tecniche consentono di migliorare la densità di potenza e l’efficienza di numerose applicazioni ad alta tensione, tra cui gli alimentatori a commutazione (SMPS), le stazioni di ricarica per i veicoli elettrici (EV), i gruppi di continuità (UPS) e gli inverter fotovoltaici.

Una caratteristica importante del processo di nuova generazione di Toshiba è il valore di RDS(ON) (resistenza di drain-source)  dei dispositivi.

Il package DFN8x8 a montaggio superficiale inoltre riduce, secondo il produttore, il volume di oltre il 90% rispetto ai package esistenti a foro passante, come per esempio quelli TO-247 e TO-247-4L(X), migliorando la densità di potenza delle apparecchiature e consentendo al contempo l’assemblaggio automatizzato. Il montaggio superficiale riduce l’impedenza parassita, diminuendo così le perdite di commutazione, e inoltre contribuisce a migliorare l’efficienza. Grazie al minor calore da dissipare, i progetti dei sistemi di alimentazione ad alta tensione possono essere più semplici e compatti, il che li rende adatti ad applicazioni con vincoli di spazio o a migliorare la miniaturizzazione.

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