Packaging di potenza per la nuova generazione di dispositivi di conversione in GaN

Dalla rivista:
EO Power

 
Pubblicato il 14 maggio 2023

I transistor e i circuiti integrati in GaN inseriti in un package PQFN mantengono i vantaggi in termini di prestazioni e dimensioni degli analoghi dispositivi in formato WLCS, ampiamente utilizzati in applicazioni complesse come quelle automobilistiche, satellitari, di elaborazioni dati e di mobilità elettrica

Leggi l’articolo completo su Eo Power 31

 

Alex Lidow, Michael de Rooij, Sam Sundaram - Efficient Power Conversion



Contenuti correlati

  • Usare dispositivi GaN per ridurre le dimensioni degli alimentatori c.a./c.c. medicali esterni  

    Oltre a soddisfare i severi standard in vigore nel settore medicale, gli alimentatori c.a./c.c. di XP Power utilizzano dispositivi GaN che permettono di dimezzare le dimensioni rispetto ad analoghi prodotti basati sui classici dispositivi in silicio Leggi...

  • Il GaN nella progettazione di alimentatori: vantaggi e sfide

    I transistor GaN aprono la strada allo sviluppo di progetti di alimentatori caratterizzati da efficienze più elevate, densità di potenza maggiori e fattori di forma più ridotti Leggi l’articolo completo su EO Power 35

  • Innoscience
    I dispositivi GaN di Innoscience a PCIM 2024

    Innoscience Technology parteciperà a PCIM 2024, il principale evento europeo dedicato all’elettronica di potenza, presentando una gamma completa di attività e soluzioni basate sul GaN. Presso lo standa sarà infatti possibile vedere la sua gamma di dispositivi...

  • Vincotech
    Vincotech a PCIM 2024

    Vincotech torna a PCIM con le sue più recenti tecnologie e innovazioni, tra cui quelle basate su GaN e molti altri prodotti per il controllo del movimento, energie rinnovabili e alimentazione. A questa edizione della manifestazione sarà...

  • EPC
    EPC: un progetto di riferimento per amplificatori audio di classe D

    EPC9192 è la sigla di un progetto di riferimento di EPC per la realizzazione di amplificatori audio di classe D particolarmente potenti, compatti ed efficienti. Le alte prestazioni sono legate a un design modulare, che facilita la...

  • Analog Devices
    Analog Devices: un nuovo driver per il controllo dei FET GaN

    LT8418 è un nuovo driver GaN half-bridge da 100 V di Analog Devices progettato per semplificare l’implementazione dei FET GaN. Questo componente può essere configurato in topologie sincrone half-bridge e full-bridge, oppure in topologie buck, boost e...

  • TEXAS INSTRUMENTS
    Nuove gamme di dispositivi GaN da Texas Instruments

    Texas Instruments (TI) ha presentato due nuove gamme di dispositivi di conversione di potenza che consentono di ottenere maggiori densità di potenza. I nuovi stadi di potenza integrati al nitruro di gallio (GaN) da 100 V di...

  • Ottimizzazione di inverter basati su dispositivi in GaN per il pilotaggio di motori BLDC

    Grazie alle superiori prestazioni di commutazione dei dispositivi in GaN, gli inverter che li utilizzano possono essere ottimizzati riducendo il numero di componenti, diminuendo così il volume complessivo dell’inverter rispetto a quelli basati su MOSFET a bassa...

  • Renesas Electronics
    Renesas Electronics acquisirà Transphorm

    Renesas Electronics e Transphorm, produttore di semiconduttori di potenza GaN, hanno annunciato di aver stipulato un accordo definitivo in base al quale una controllata di Renesas acquisirà tutte le azioni ordinarie di Transphorm. La transazione valuta Transphorm...

  • TI
    TI espande la sua gamma di FET GaN

    Texas Instruments (TI) ha annunciato di aver ampliato la sua gamma di prodotti basati su tecnologia GaN con nuovi FET con gate driver integrati, tra cui i dispositivi LMG3622, LMG3624 e LMG3626, che permettono di raggiungere velocità...

Scopri le novità scelte per te x