Interoperabilità tra la Flash OctalNAND di Winbond e l’IP AMBA DesignWare di Synopsys

Winbond Electronics ha annunciato la completa interoperabilità tra l’IP SSI (Synchronous Serial Interface) DesignWare di Synopsys con la propria memoria Flash NAND OctalNAND.

L’IP SSI della linea DesigWare di Synopsys, in grado di assicurare elevate velocità di trasferimento dati e bassa latenza nelle memorie flash e OctalNAND, fornisce una soluzione di memoria flash completa per i SoC utilizzati in applicazioni automotive, mobili e IoT, favorendo in tal modo una rapida adozione di memorie non volatili (NVM ) con interfaccia x8 e densità fino a 4 Gbit caratterizzate da un’elevata ampiezza di banda in lettura.

Prima memoria di tipo Flash con interfaccia x8 disponibile, la Flash OctalNAND di Winbond consente ai produttori operanti nei settori automotive, delle comunicazione e industriale, di archiviare codice embedded in una memoria ad alta densità caratterizzata da un fattore di forma identico a quello delle FLASH di tipo NOR.

Winbond ha sviluppato una memoria Flash OctalNAND in considerazione del fatto che la tecnologia NOR sta raggiungendo i propri limiti tecnologici e non è quindi più in grado di proporsi come una soluzione di memorizzazione di tipo non volatile ad alta densità competitiva in termini di costi. Questa soluzione di Winbond, inoltre, viene offerta in package standard industriali.

In applicazioni quali sistemi di assistenza alla guida (ADAS), quadri strumenti (cruscotti) e controllori per l’automazione di fabbrica, i progettisti di sistema utilizzavano solitamente memorie NOR. Poiché la dimensione del codice supera regolarmente i 512 Mb, il costo delle Flash NOR è molto più elevato rispetto a quello delle NAND a parità di densità.

“Grazie al supporto del controllore della OctalNAND di Winbond da parte del nostro collaudato IP SSI DesignWare – ha sostenuto John Koeter, senior vice president, marketing e strategie di Synopsys – siamo in grado di garantire un accesso alla memoria veloce, semplificando nel contempo il processo di integrazione di questa Flash nei SoC destinati ai mercati mobile, consumer, IoT e automotive. Sfruttando la combinazione tra l’IP SSI DesignWare e la Flash OctalNAND, i progettisti possono ridurre il time to market per tutti quei SoC che richiedono la disponibilità di memorie Flash economiche, ad alta velocità ed elevata densità per l’archiviazione del codice”.

“Winbond ha collaborato con Synopsys per supportare la Flash OctalNAND con l’IP SSI DesignWare – ha affermato J.W. Park, Technology Executive di Winbond Flash Memory – in modo da consentire ai produttori di chipset di sfruttare più facilmente le funzionalità avanzate presenti nella nostra Flash. I produttori di sistemi che utilizzano chipset i quali integrano sia la Flash OctalNAND sia l’IP DesignWare saranno in grado di scegliere la soluzione flash più adatta per l’archiviazione del codice disponibile sul mercato, tra cui Flash SpiNOR, QspiNAND oppure OctalNAND, in base ai loro obiettivi in termini di prestazioni, densità e prezzo”.

I vantaggi della memoria Flash OctalNAND

Poichè la maggior parte delle applicazioni embedded ad alta densità utilizza memorie flash per l’avvio (boot) e la successiva copia del codice (code shadow) nella DRAM per l’esecuzione, la Flash OctalNAND è in grado di garantire un throughput in fase di lettura di 240 Mbyte/s, abbinata alla capacità di leggere in modo continuativo dall’inizio fin quasi alla fine dello spazio della memoria flash. Mentre nei dispositivi NAND possono essere presenti blocchi di memoria danneggiati (bad block), la OctalNAND di Winbond prevede una tabella di ricerca (look-up table) per la gestione dei blocchi che consente la mappatura dei blocchi danneggiati, i quali vengono sostituiti con blocchi funzionanti, in modo da permettere all’host di mantenere uno spazio di indirizzamento contiguo e semplificare il caricamento del codice ad alta velocità, in quanto l’host non deve “saltare” i blocchi danneggiati.

Poiché gli aggiornamenti in modalità OTA (Over-the-Air) sono divenuti una caratteristica standard nei progetti di sistemi embedded, l’utilizzo della densità spesso raddoppia. Densità di 1 e 2 Gb per l’archiviazione del codice sono comuni, mentre l’opzione di ricorrere a densità maggiori (4 Gb) viene regolarmente presa in considerazione. A causa di questi aggiornamenti, le prestazioni in termini di programmazione/cancellazione (P/E – Program/Erase) assumono una certa importanza. Rispetto a una Flash NOR, la Flask OctalNAND è in grado di effettuare operazioni di cancellazione e programmazione a velocità superiori di un fattore pari rispettivamente a 400 e a 50. Nel momento in cui è necessario aggiornare un’ampia sezione della memoria flash in modalità OTA, l’impiego di una OctalNAND rispetto a un dispositivo NOR può contribuire a ridurre il tempo di P/E da circa 10 minuti a meno di 1 minuto, a tutto vantaggio della disponibilità del sistema e della fruizione da parte dell’utilizzatore.

Contenuti correlati

• 
  Lauterbach: supporto per il tool ASIP Designer di Synopsys

  Lauterbach ha annunciato l’interoperabilità tra i suoi tool TRACE32 e lo strumento ASIP Designer di Synopsys utilizzabile per la progettazione di processori con set di istruzioni specifici per l’applicazione (ASIP) e acceleratori programmabili. Il supporto di TRACE32...
• 
  Synopsys acquisisce Ansys

  Synopsys e Ansys hanno annunciato di aver siglato un accordo definitivo in base al quale Synopsys acquisirà Ansys. Le aziende sottolineano che la combinazione della tecnologia EDA di Synopsys con le capacità di simulazione e analisi di...
• 
  Partnership commerciale fra Arrow Electronics e Synopsys

  Arrow Electronics e Synopsys hanno sottoscritto un accordo di distribuzione paneuropeo per assicurare ai rivenditori dell’area EMEA il portfolio di soluzioni di application security testing (AppSec) di Synopsys Software Integrity Group. Il distributore rivenderà e fornirà soluzioni...
• 
  Winbond adotta la saldatura a bassa temperatura per le sue memorie Flash

  Winbond Electronics ha annunciato, in occasione di electronica 2022, che le sue memorie Flash potranno supportare la saldatura a bassa temperatura (LTS – Low Temperature Soldering) che permette di ridurre la temperatura delle operazioni di montaggio superficiale...
• 
  Package 100BGA per memorie LPDDR4/4X di Winbond

  Winbond Electronics Corporation ha annunciato che il suo nuovo package 100BGA per memorie LPDDR4/4X ha ottenuto la conformità allo standard JEDEC JED209-4, garantendo in tal modo un maggior risparmio energetico e una riduzione delle emissioni. Le memorie...
• 
  Certificazione SESIP Level 2 per la Flash sicura TrustME W77Q di Winbond

  Winbond Electronics ha annunciato che la sua Flash sicura TrustME W77Q ha ottenuto la conformità con SESIP (Security Evaluation Scheme for IoT Platforms) di Livello 2 con certificazione di resistenza contro gli attacchi fisici. Si tratta della...
• 
  ADI e Synopsys insieme per una più veloce progettazione dei sistemi di alimentazione

  Synopsys e Analog Devices stanno collaborando per rendere più rapida la progettazione dei sistemi di alimentazione. Il particolare, la collaborazione riguarda librerie di modelli per circuiti integrati DC/DC e regolatori µModule tramite il tool di simulazione Saber,...
• 
  Winbond espande la produzione di SDRAM DDR3

  Winbond Electronics ha introdotto alcuni miglioramenti alla sua linea di memorie DDR3 destinati a incrementare le prestazioni in termini di velocità. La roadmap della società prevede memorie SDRAM DDR3 con capacità da 1 a 4 Gb, DDR2...
• 
  Collaborazione tra Winbond e Infineon Technologies per le nuove memorie HYPERRAM 3.0

  Winbond Electronics e Infineon Technologies hanno annunciato l’espansione della loro collaborazione nel settore delle memorie HYPERRAM con l’introduzione delle nuove HYPERRAM 3.0 caratterizzate da un’ampiezza di banda più estesa. Le memorie HYPERRAM 3.0, pur operando a una...
• 
  Winbond introduce una nuova memoria Flash NOR SPI a 1,2 V da 64 Mb

  W25Q64NE è la sigla di una nuova memoria Flash NOR di Winbond Electronics. Questo componente della linea SpiFlash a 1,2 V ha una densità di 64 Mb ed è dotata della funzionalità di risparmio energetico attivo. Queste...