Nuova Flash SPI NOR a doppia alimentazione da GigaDevice

GigaDevice ha recentemente presentato la sua nuova serie di Flash SPI NOR a doppia alimentazione, progettata appositamente per applicazioni SoC da 1,2 V.

Siglata GD25NE, la serie offre infatti la compatibilità con i SoC da 1,2 V di nuova generazione ed elimina la necessità di un circuito booster esterno.

Dal punto di vista delle possibilità di impiego, queste memorie di GIgaDevice soddisfano la crescente domanda di storage embedded avanzato, e rappresentano una scelta interessante per dispositivi indossabili, assistenza sanitaria, IoT, data center e applicazioni Edge AI.

Combinando una tensione del core di 1,8 V con una tensione di interfacciamento I/O di 1,2 V, GD25NE supporta operazioni STR (velocità di trasferimento singola) e DTR (velocità di trasferimento doppia) singole, doppie e quadruple. Per le prestazioni, queste memorie raggiungono frequenze di clock fino a 133 MHz in modalità STR e 104 MHz in modalità DTR. Il tempo di programmazione pagina tipico è di 0,15 ms e il tempo di cancellazione per i settori è di 30 ms.

Sul versante dei consumi energetici, la serie GD25NE offre una corrente di spegnimento profondo tipica di 0,2 µA, una corrente di lettura Quad I/O DTR di 9 mA a 104 MHz e correnti di programmazione/cancellazione basse fino a 8 mA.

La serie GD25NE offre varie densità che vanno da 32 Mb a 256 Mb e supporta opzioni di packaging SOP16 e BGA24. Il primo prodotto della serie, il modello GD25NE256H da 256 Mb, è disponibile in campioni. Seguiranno le altre serie di prodotti con densità da 32 Mb a 128 Mb.

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