Le Flash NOR xSPI a doppia tensione di GigaDevice

GigaDevice ha realizzato GD25NX, una nuova generazione di prodotti Flash NOR xSPI a doppia tensione. La serie utilizza infatti un core a 1,8 V e un design a 1,2 V per l’I/O, una soluzione che permette di collegare le memorie direttamente ai SoC a 1,2 V senza la necessità di implementare un circuito booster esterno.

Per le principali caratteristiche tecniche, le Flash NOR xSPI GD25NX supportano un’interfaccia SPI ottale con una frequenza di clock massima di 200 MHz sia in modalità STR (Single Transfer Rate) che DTR (Double Transfer Rate), offrendo una velocità di trasmissione dati fino a 400 MB/s. GigaDevice  precisa che questi componenti offrono un page program time tipico di 0,12 ms e un tempo di cancellazione del settore di 27 ms. Le memorie utilizzano inoltre algoritmi di codice di correzione degli errori (ECC) e verifica del controllo di ridondanza ciclico (CRC) per migliorare l’integrità dei dati e prolungare la durata del prodotto. La serie supporta anche la funzionalità di data strobe (DQS) per garantire l’integrità del segnale nei progetti di sistemi ad alta velocità.

Per quanto riguarda la disponibilità, la serie GD25NX è offerta con densità di 64 Mb e 128 Mb, soddisfacendo diverse esigenze di storage. I campioni delle memorie GD25NX128J da 128 Mb sono già disponibili per la valutazione dei clienti, mentre i campioni del modello GD25NX64J da 64 Mb sono attualmente in fase di preparazione.

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