Alta velocità di lettura per la nuova memoria di GigaDevice

GigaDevice ha presentato la sua memoria NAND Flash QSPI ad alta velocità GD5F1GM9. Questo componente, disponibile con capacità di 1 Gb, è caratterizzato da velocità di lettura particolarmente elevate da una innovativa funzionalità di gestione dei blocchi difettosi (BBM).

La serie GD5F1GM9 è basata su un processo produttivo a 24 nm e supporta tensioni operative sia di 3 V che di 1,8 V, nonché modalità di lettura ad alta velocità, tra cui quelle denominate Continuous Read, Cache Read, e Auto Load Next Page.  Le modalità Continuous Read e Auto Load Next Page sono nuove funzionalità di lettura aggiunte a questa serie e offrono agli utenti opzioni di lettura versatili per accelerare ulteriormente il recupero di codice e dati. Queste modalità di lettura utilizzano un nuovo approccio di calcolo parallelo, in sostituzione del precedente metodo di calcolo seriale. Questa innovazione riduce significativamente i tempi di calcolo per l’ECC integrato.

GigaDevice dichiara che la versione a 3 V della serie raggiunge una velocità di lettura continua fino a 83 MB/s in modalità Continuous Read, operando a una frequenza di clock massima di 166 MHz. La versione da 1,8 V offre una velocità di Continuous Read fino a 66 MB/s e supporta una frequenza di clock massima di 133 MHz.

Il sistema avanzato di gestione dei blocchi danneggiati (BBM) on-chip, invece, assicura la completa funzionalità della modalità di Continuous Read che consente l’accesso in lettura all’intero array di memoria con un singolo comando di lettura. Con questa funzione vengono ignorati automaticamente i blocchi danneggiati.

Di fabbrica, la serie GD5F1GM9 garantisce che i primi 256 blocchi siano validi e il dispositivo può supportare fino a 20 collegamenti nella BBM Look Up Table per integrare ulteriormente la funzionalità della modalità di Continuous Read. Questo non solo migliora significativamente l’utilizzo delle risorse, ma semplifica anche la progettazione del sistema.

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