Un semplice e versatile generatore di impulsi
-
- Tweet
- Pin It
- Condividi per email
-
Dalla rivista:
Elettronica Oggi
Quando si progetta un convertitore di potenza a commutazione di tipo push-pull oppure un controllo motori spesso si cerca di ottenere degli impulsi alternati caratterizzati da un tempo morto fra essi quanto più ridotto possibile perché così si possono minimizzare alcune anomalie di conduzione che talvolta si presentano in alcuni dispositivi con uscita a commutazione.
I controllori integrati a commutazione hanno questa funzione operativa in dotazione, ma per lo più in configurazione ad anello chiuso per minimizzare il numero dei pin. Tuttavia, quando si sviluppa un circuito di controllo per uno stadio a commutazione c’è bisogno di usare un anello di regolazione aperto.
La figura 1 mostra come si può realizzare un generatore d’impulsi di questo tipo usando due comuni circuiti integrati e ottenendo che i due segnali di comando per gli stadi d’uscita a canale P e a canale N (overlapping e non overlapping) siano entrambi disponibili simultaneamente. In pratica, l’ingresso del circuito sul pin 10 dell’IC1 giunge dal generatore di clock IC2F, mentre una sua replica invertita e leggermente ritardata arriva al pin 9 dell’IC1 dall’IC2A. Quindi, l’IC1 decodifica entrambi gli ingressi, originale e ritardato, per formare l’uscita come illustrato nella tabella 1.
Fig. 1 – Un semplice generatore d’impulsi realizzato con due integrati comunemente disponibili in commercio
Considerando che l’IC1 è un demultiplexer analogico, allora se ne può configurare le uscite in modo che siano entrambe alte o entrambe basse semplicemente introducendo uno o più resistori di pull-up o di pull-down. Si può, inoltre, stabilire lo stato inattivo dell’uscita in posizione alta o bassa facendo sì che i pin X e Y siano entrambi polarizzati alla tensione di alimentazione oppure a massa. In funzione dello stato degli ingressi A e B sull’integrato IC1A, i commutatori interni nell’IC1 possono collegare X con X0, X1, X2 o X3 e, similmente, Y con Y0, Y1, Y2 o Y3.
.jpg)
Tabella 1 - Sequenza degli stati all’ingresso principale
Dopo di essi, i buffer da IC2B a IC2E invertono i segnali prima di fornirli alle uscite che, dunque, possono essere utilizzate come sorgenti di segnali con frequenza variabile o con duty-cycle variabile. Si può, infine, decidere il tempo morto fra gli impulsi usando la costante di tempo fornita da R1 e C1, indipendentemente dalla frequenza o dal duty-cycle.
Può essere che, in base alle caratteristiche dei dispositivi che saranno poi connessi all’uscita e in funzione della frequenza di commutazione prescelta, i buffer d’uscita richiedano uno stadio addizionale di amplificazione a transistor Mosfet. In tal caso bisogna ricordarsi che potrebbe essere necessario alzare un poco la tensione d’alimentazione affinché i transistor lavorino correttamente.
Generalmente, una tensione di alimentazione più alta implica anche una maggior velocità operativa.
La serie degli integrati MC14xxx è la medesima dei CD4xxx, ma se si vogliono utilizzare integrati con frequenza operativa più elevata basta rivolgersi a due prestigiosi fornitori come
Texas instruments e On Semiconductor
Global Thermoelectric
Horst Koelzow, Global Thermoelectric
Contenuti correlati
-
I nuovi Mosfet Super Junction da 600 V di RohmRohm ha ampliato la gamma di Mosfet Super Junction da 600 V con due nuove serie, siglate rispettivamente R60xxXNx e R60xxWNx. Una peculiarità interessante è che l’azienda propone questi componenti in un package per montaggio superficiale dalle elevate...
-
Package innovativo per il nuovo Mosfet di AOSAlpha and Omega Semiconductor (AOS) ha presentato AOPL66801, un Mosfet a 80 V caratterizzato da un package innovativo. Il nuovo componente utilizza infatti un DFN6x5 AmpStack, basato su una tecnologia a die stacked che consente la realizzazione...
-
Toshiba amplia la gamma di Mosfet di potenzaToshiba Electronics Europe ha realizzato un nuovo Mosfet di potenza a canale N da 80 V destinato ad applicazioni come per esempio alimentatori industriali switching ad alta efficienza integrati in data center e stazioni base di comunicazione....
-
Nove Mosfet di potenza da ToshibaToshiba ha aggiunto alla sua offerta di Mosfet di potenza nove dispositivi disponibili in tre tipi di package a elevata dissipazione di calore. La nuova gamma utilizza infatti i package SOT-23F, TSOP6F e UDFN6B e sono destinati a...
-
Rohm amplia l’offerta di Mosfet per automotiveSono destinati ai sistemi di alimentazione in ambito automotive i nuovi Mosfet della serie AG16xFNxx di Rohm. Si tratta di componenti da 80V progettati per i sistemi di alimentazione a 48 V che si stanno affermando come...
-
Toshiba: Mosfet a 80 V per automotiveI Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
-
Nuovi Mosfet EcoSiC da RohmRohm ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC, Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
-
Nuova tecnologia per i Mosfet di ToshibaToshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...
-
Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotiveDiodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...
-
Sette nuovi Mosfet a super giunzione da ToshibaToshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...
Scopri le novità scelte per te
-
I nuovi Mosfet Super Junction da 600 V di Rohm
Rohm ha ampliato la gamma di Mosfet Super Junction da 600 V con due nuove serie, siglate rispettivamente...
-
Package innovativo per il nuovo Mosfet di AOS
Alpha and Omega Semiconductor (AOS) ha presentato AOPL66801, un Mosfet a 80 V caratterizzato da un package...
News/Analysis Tutti ▶
-
Le previsioni di TrendForce per le memorieGli analisti di TrendForce indicano che l’attuale tensione nell’approvvigionamento delle memorie diminuirà nella seconda...
-
Certificazione di sicurezza per i computer MoxaI computer Moxa della serie UC basati su architettura Arm a 64 bit che...
-
Yole Group pubblica un report sul packaging avanzatoYole Group ha pubblicato il report “Status of the Advanced Packaging Industry 2026″ che...
Products Tutti ▶
-
Amphenol: nuovi connettori compattiAmphenol Industrial Operations ha introdotto nella sua offerta di connettori la nuova serie ePower-Lite...
-
Connettori RF a 30 gradi da SamtecSamtec ha annunciato la disponibilità del nuovo connettore per schede di circuiti stampati ad...
-
Rohm propone una nuova evaluation boardLa nuova evaluation board BD83070GWL-EVK-002 di Rohm è stata sviluppata per valutare le caratteristiche...
