Toshiba migliora l’efficienza di commutazione di MOSFET e IGBT

Toshiba Electronics Europe ha annunciato l’estensione della sua gamma di fotoaccoppiatori per applicazioni di gate drive per MOSFET e IGBT. Si tratta della serie TLP579xH, composta da tre modelli, che risponde alla crescente domanda di componenti in grado di pilotare dispositivi di potenza con prestazioni più precise su un ampio intervallo di temperature.

Questa gamma di prodotti è utilizzabile in applicazioni per l’energia verde e l’automazione industriale, come per esempio inverter fotovoltaici industriali, gruppi di continuità (UPS) e stazioni di ricarica per i veicoli elettrici che operano in ambienti termici difficili.

Tutti e tre i dispositivi della serie TLP579xH sono progettati per pilotare dispositivi di potenza di piccola e media capacità e IGBT. Il gate driver TLP5791H offre prestazioni di -1,0/+1,0 A in termini di corrente di uscita di picco di livello alto/basso (IOLH/IOHL), con una tensione di soglia di blocco di sottotensione (UVLO) (VUVLO+) di 9,5 V (max.), una tensione di soglia UVLO (VUVLO-) di 7,5 V (min.) e una tensione di isteresi UVLO (VUVLOHYS) di 0,5 V (tip.).

Per il gate driver TLP5794H, la corrente di picco in uscita varia da -6,0/+4,0 A per quanto riguarda il rapporto IOLH/IOHL, con un valore di VUVLO+ di 13,5 V (max.), di VUVLO- di 9,5 V (min.) e di VUVLOHYS di 1,5 V (tip.).

Il modello TLP5795H, invece, è in grado di fornire una corrente di uscita di picco di livello alto/basso (IOLH/IOHL), con un valore di VUVLO+ di 13,5 V (max.), VUVLO- di 11,1 V (min.) e di VUVLOHYS di 1,0 V (tip.).

Inoltre, Toshiba ha migliorato, rispetto alla gamma di prodotti attuale, il fotoaccoppiatore integrato sia per quanto riguarda il LED a infrarossi sul lato di ingresso, sia sul versante dell’elemento di ricezione della luce.

Questi miglioramenti aumentano l’efficienza di accoppiamento ottico del prodotto, consentendone il funzionamento in un intervallo di temperature compreso tra -40 °C e +125 °C. Toshiba ha inoltre standardizzato il tempo e la distorsione del ritardo di propagazione all’interno di questo intervallo di temperature operative.

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