Tecnologia multibit per cella per memorie flash Nand
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Nella generazione a 32 nm l’azienda ha realizzato un chip da 32 Gb a 3 bit per cella avente le minori dimensioni di piastrina al mondo e un chip da 16 Gb più piccolo di 2 bit per cella fabbricato con tecnologia a 43 nm, che è già presente sul mercato. Questo chip innovativo sarà prodotto in serie durante la seconda metà del 2009. Ha inoltre costruito il primo chip da 64 Gb al mondo che applica tecnologia a 4 bit per cella alla generazione di processi a 43 nm.
Toshiba e il suo partner tecnologico, SanDisk, hanno svelato questi progressi tecnologici fondamentali durante la Conferenza internazionale sui circuiti a stato solido, che si è tenuta a San Francisco, California.
I fabbricanti di memorie flash Nand devono rispondere alla domanda relativa a densità più elevate con costi minori. Toshiba e SanDisk hanno risposto a questa richiesta tramite l’applicazione delle loro tecnologie innovative.
In questo senso, il dispositivo della generazione a 32 nm a 3 bit per cella utilizza un progetto circuitale ottimizzato per il decoder di righe e un’architettura a colonne estese, che hanno contribuito in modo significativo all’ottenimento di un chip da 113 mm2, vale a dire le dimensioni di piastrina più piccole finora conseguite in questa generazione, a cui la tecnologia a 4 bit per cella applica tecnologie di programmazione multibit di prim’ordine, consentendo di ottenere 64 Gb senza aumentare le dimensioni del chip e raggiungendo, nello stesso tempo, una prestazione in termini di velocità di scrittura pari a 7,8 Mb/s.
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