Tag per "mosfet"
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Alpha and Omega Semiconductor releases 600V low ohmic and fast body diode aMOS5 super junction MOSFETs familyAlpha and Omega Semiconductor announced the release of 600V low ohmic and fast body...
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MOSFET Si o SiC: criteri di sceltaI MOSFET al carburo di silicio (SiC) consentono di ottenere livelli di efficienza molto...
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Da Toshiba un nuovo MOSFET per applicazioni di alimentazione a commutazioneToshiba Electronics Europe ha realizzato un nuovo MOSFET a canale N da 40V che...
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LED: caratteristiche e applicazioniUn’analisi delle caratteristiche che hanno fatto diventare la tecnologia LED lo standard per le...
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Transistor bipolari: una valida alternativa ai MOSFETGli interruttori digitali vengono solitamente realizzati utilizzando i MOSFET, ma i transistor a giunzione...
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Nuovi moduli di potenza MOSFET EasyDUAL CoolSiC da InfineonInfineon Technologies AG ha aggiornato i moduli MOSFET EasyDUAL CoolSiC con una nuova ceramica...
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Alta efficienza e dimensioni ridotte per i nuovi moduli MOSFET SiC di ToshibaToshiba Electronics Europe ha introdotto un modulo MOSFET con tecnologia SiC (carburo di silicio)...
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Toshiba presenta cinque MOSFET di potenza a supergiunzione da 650 VToshiba Electronics Europe ha annunciato cinque MOSFET di potenza a supergiunzione da 650 V...
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Infineon: nuovi MOSFET di potenza StrongIRFET 2 da 80 V e 100 VInfineon Technologies ha presentato la nuova generazione di MOSFET StrongIRFET 2 a 80 V...
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I nuovi MOSFET SiC da 650V di ON SemiconductorON Semiconductor ha realizzato una nuova gamma di MOSFET in carburo di silicio (SiC)...
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I nuovi MOSFET a canale P di 5a generazione di ROHMROHM ha sviluppato nuovi MOSFET a canale P con bassa resistenza di ON e...
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New fast switching 600V MOSFET by Alpha and Omega SemiconductorAlpha and Omega Semiconductor (AOS) announced the release of a fast switching 600V αMOS5...
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Toshiba: nuovi MOSFET compatti e a bassa resistenza di ONToshiba Electronics Europe ha ampliato il proprio portafoglio di MOSFET a canale N a...
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Un MOSFET al carburo di silicio da 1200 V da ToshibaToshiba Electronics Europe ha realizzato un MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200...
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Vishay Intertechnology: new integrated 40 V MOSFETVishay Intertechnology introduced a new 40 V n-channel MOSFET half bridge power stage (Vishay...
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Anritsu ha presentato il VNA TensorAnritsu ha presentato il suo VNA (analizzatore di rete vettoriale) Tensor per l’analisi delle reti...
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Una soluzione integrata da Teradyne e Tokyo ElectronTeradyne ha sviluppato insieme a Tokyo Electron (TEL) una soluzione integrata che combina la...
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GlobalFoundries e Qualinx per la produzione di chip europeiGlobalFoundries (GF) e Qualinx hanno dimostrato che i chip critici dal punto di vista...
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Load switch intelligenti da DiodesDiodes ha ampliato la sua offerta di load switch con il modello DML1012ALDSQ, un...
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Microchip rilascia nuovi retimer PCIe 6.0 e CXL 3.1Microchip ha aggiunto alla sua offerta di prodotti per data center i retimer XpressConnect...
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Murata: nuovi convertitori DC-DC ad alto isolamentoMurata Manufacturing ha annunciato la serie di convertitori DC-DC isolati MGJ1T, una nuova gamma...
