Alpha and Omega Semiconductor releases 600V low ohmic and fast body diode aMOS5 super junction MOSFETs family
Alpha and Omega Semiconductor announced the release of 600V low ohmic and fast body diode αMOS5 super junction MOSFETs family.
αMOS5 is AOS’s latest generation of high voltage MOSFET, designed to meet the high efficiency and high-density needs for Quick Charger, Adapter, PC Power, Server, Industrial Power, Telecom, and Hyperscale Datacenter applications.
The first product released – AOK040A60 is a 600V 40mOhm αMOS5 low ohmic device with the industry-standard TO-247 package tailored to address the thermal challenges of today’s high-power AC/DC, DC/DC, and Inverter stages. As the EU ERP Lot9 regulation pushes the efficiency of single PSUs to Titanium level, AOS αMOS5 600V low ohmic family provides an ideal solution for single, interleaved, dual boost, totem-pole, and Vienna PFCs, as well as other hard-switching topologies.
The 40mOhm product, followed by our upcoming 31mOhm, 65mOhm, and 80mOhm products, will provide customers with multiple choices to deal with different power ratings and efficiency requirements. The optimized capacitance of AOK040A60 will provide customers the best hard and soft switching performances, with fast turn-on/turn-off behaviors while avoiding the risks of self-turn-on or shoot-through, thanks to AOS’s silicon design and process know-how.
The second product released – AOK042A60FD is a 600V 42mOhm FRD (Fast Body Diode) device, designed to handle the repetitive hard commutation scenario, where the MOSFET’s freewheeling body diode is reversely recovered in HB (halfbridge) or FB (full bridge) topologies. The αMOS5 600V FRD solution will further increase the system reliability as the right-fit solution for HB/FB topologies where hard switching happens during abnormal operations, such as short-circuit or start-up transients. The low Qrr of AOK042A60FD will help significantly reduce the losses during reverse recovery.
Contenuti correlati
-
I nuovi Mosfet Super Junction da 600 V di Rohm
Rohm ha ampliato la gamma di Mosfet Super Junction da 600 V con due nuove serie, siglate rispettivamente R60xxXNx e R60xxWNx. Una peculiarità interessante è che l’azienda propone questi componenti in un package per montaggio superficiale dalle elevate...
-
Package innovativo per il nuovo Mosfet di AOS
Alpha and Omega Semiconductor (AOS) ha presentato AOPL66801, un Mosfet a 80 V caratterizzato da un package innovativo. Il nuovo componente utilizza infatti un DFN6x5 AmpStack, basato su una tecnologia a die stacked che consente la realizzazione...
-
Toshiba amplia la gamma di Mosfet di potenza
Toshiba Electronics Europe ha realizzato un nuovo Mosfet di potenza a canale N da 80 V destinato ad applicazioni come per esempio alimentatori industriali switching ad alta efficienza integrati in data center e stazioni base di comunicazione....
-
Nove Mosfet di potenza da Toshiba
Toshiba ha aggiunto alla sua offerta di Mosfet di potenza nove dispositivi disponibili in tre tipi di package a elevata dissipazione di calore. La nuova gamma utilizza infatti i package SOT-23F, TSOP6F e UDFN6B e sono destinati a...
-
Rohm amplia l’offerta di Mosfet per automotive
Sono destinati ai sistemi di alimentazione in ambito automotive i nuovi Mosfet della serie AG16xFNxx di Rohm. Si tratta di componenti da 80V progettati per i sistemi di alimentazione a 48 V che si stanno affermando come...
-
Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive
I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
-
Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm
Rohm ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC, Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive,...
-
L’innovazione di AOS
Alpha and Omega Semiconductor (AOS) ha annunciato l’inaugurazione ufficiale del nuovo stabilimento Osat di Kaynes Semicon a Sanand, Gujarat, un passo particolarmente importante per l’avvio della produzione di nuovi moduli di potenza. Presso la fabbrica è stato implementato...
-
Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba
Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...
-
Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotive
Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...










