Tag per "mosfet"
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Alpha and Omega Semiconductor releases 600V low ohmic and fast body diode aMOS5 super junction MOSFETs familyAlpha and Omega Semiconductor announced the release of 600V low ohmic and fast body...
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MOSFET Si o SiC: criteri di sceltaI MOSFET al carburo di silicio (SiC) consentono di ottenere livelli di efficienza molto...
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Da Toshiba un nuovo MOSFET per applicazioni di alimentazione a commutazioneToshiba Electronics Europe ha realizzato un nuovo MOSFET a canale N da 40V che...
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LED: caratteristiche e applicazioniUn’analisi delle caratteristiche che hanno fatto diventare la tecnologia LED lo standard per le...
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Transistor bipolari: una valida alternativa ai MOSFETGli interruttori digitali vengono solitamente realizzati utilizzando i MOSFET, ma i transistor a giunzione...
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Nuovi moduli di potenza MOSFET EasyDUAL CoolSiC da InfineonInfineon Technologies AG ha aggiornato i moduli MOSFET EasyDUAL CoolSiC con una nuova ceramica...
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Alta efficienza e dimensioni ridotte per i nuovi moduli MOSFET SiC di ToshibaToshiba Electronics Europe ha introdotto un modulo MOSFET con tecnologia SiC (carburo di silicio)...
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Toshiba presenta cinque MOSFET di potenza a supergiunzione da 650 VToshiba Electronics Europe ha annunciato cinque MOSFET di potenza a supergiunzione da 650 V...
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Infineon: nuovi MOSFET di potenza StrongIRFET 2 da 80 V e 100 VInfineon Technologies ha presentato la nuova generazione di MOSFET StrongIRFET 2 a 80 V...
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I nuovi MOSFET SiC da 650V di ON SemiconductorON Semiconductor ha realizzato una nuova gamma di MOSFET in carburo di silicio (SiC)...
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I nuovi MOSFET a canale P di 5a generazione di ROHMROHM ha sviluppato nuovi MOSFET a canale P con bassa resistenza di ON e...
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New fast switching 600V MOSFET by Alpha and Omega SemiconductorAlpha and Omega Semiconductor (AOS) announced the release of a fast switching 600V αMOS5...
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Toshiba: nuovi MOSFET compatti e a bassa resistenza di ONToshiba Electronics Europe ha ampliato il proprio portafoglio di MOSFET a canale N a...
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Un MOSFET al carburo di silicio da 1200 V da ToshibaToshiba Electronics Europe ha realizzato un MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200...
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Vishay Intertechnology: new integrated 40 V MOSFETVishay Intertechnology introduced a new 40 V n-channel MOSFET half bridge power stage (Vishay...
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Infineon e Siemens collaborano per proteggere i data centerInfineon e Siemens stanno collaborando per migliorare la protezione elettrica nei data center, impianti di...
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Cosmic Semiconductor Solutions a Pcim Europe 2026Cosmic parteciperà per la prima volta a Pcim Europe 2026, evento che si terrà a...
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29 premi per DigiKeyIn occasione dell’EDS Leadership Summit 2026, evento tenutosi dal 18 al 22 maggio a...
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Nuovo dispositivo ICeGaN da 650 V da CGDCambridge GaN Devices (CGD) ha sviluppato un dispositivo con tecnologia GaN da 650 V...
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Advantech presenta il modulo wireless AIW-411Advantech ha presentato AIW-411, un compatto modulo MCU wireless OSM Size-0 (30×15 mm) basato...
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Soluzione di conformità ASA-ML da Rohde & SchwarzRohde & Schwarz ha presentato una nuova soluzione di conformità ASA Motion Link per...
