Tag per "mosfet"
-
Alpha and Omega Semiconductor releases 600V low ohmic and fast body diode aMOS5 super junction MOSFETs family
Alpha and Omega Semiconductor announced the release of 600V low ohmic and fast body...
-
MOSFET Si o SiC: criteri di scelta
I MOSFET al carburo di silicio (SiC) consentono di ottenere livelli di efficienza molto...
-
Da Toshiba un nuovo MOSFET per applicazioni di alimentazione a commutazione
Toshiba Electronics Europe ha realizzato un nuovo MOSFET a canale N da 40V che...
-
LED: caratteristiche e applicazioni
Un’analisi delle caratteristiche che hanno fatto diventare la tecnologia LED lo standard per le...
-
Transistor bipolari: una valida alternativa ai MOSFET
Gli interruttori digitali vengono solitamente realizzati utilizzando i MOSFET, ma i transistor a giunzione...
-
Nuovi moduli di potenza MOSFET EasyDUAL CoolSiC da Infineon
Infineon Technologies AG ha aggiornato i moduli MOSFET EasyDUAL CoolSiC con una nuova ceramica...
-
Alta efficienza e dimensioni ridotte per i nuovi moduli MOSFET SiC di Toshiba
Toshiba Electronics Europe ha introdotto un modulo MOSFET con tecnologia SiC (carburo di silicio)...
-
Toshiba presenta cinque MOSFET di potenza a supergiunzione da 650 V
Toshiba Electronics Europe ha annunciato cinque MOSFET di potenza a supergiunzione da 650 V...
-
Infineon: nuovi MOSFET di potenza StrongIRFET 2 da 80 V e 100 V
Infineon Technologies ha presentato la nuova generazione di MOSFET StrongIRFET 2 a 80 V...
-
I nuovi MOSFET SiC da 650V di ON Semiconductor
ON Semiconductor ha realizzato una nuova gamma di MOSFET in carburo di silicio (SiC)...
-
I nuovi MOSFET a canale P di 5a generazione di ROHM
ROHM ha sviluppato nuovi MOSFET a canale P con bassa resistenza di ON e...
-
New fast switching 600V MOSFET by Alpha and Omega Semiconductor
Alpha and Omega Semiconductor (AOS) announced the release of a fast switching 600V αMOS5...
-
Toshiba: nuovi MOSFET compatti e a bassa resistenza di ON
Toshiba Electronics Europe ha ampliato il proprio portafoglio di MOSFET a canale N a...
-
Un MOSFET al carburo di silicio da 1200 V da Toshiba
Toshiba Electronics Europe ha realizzato un MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200...
-
Vishay Intertechnology: new integrated 40 V MOSFET
Vishay Intertechnology introduced a new 40 V n-channel MOSFET half bridge power stage (Vishay...
News/Analysis Tutti ▶
-
Cosmic Semiconductor Solutions a Pcim Europe 2026
Cosmic parteciperà per la prima volta a Pcim Europe 2026, evento che si terrà a...
-
29 premi per DigiKey
In occasione dell’EDS Leadership Summit 2026, evento tenutosi dal 18 al 22 maggio a...
-
Le previsioni di Wsts sui semiconduttori per il 2026
L’organizzazione World Semiconductor Trade Statistics (Wsts) ha rivisto sensibilmente al rialzo le sue previsioni...
Products Tutti ▶
-
Soluzione di conformità ASA-ML da Rohde & Schwarz
Rohde & Schwarz ha presentato una nuova soluzione di conformità ASA Motion Link per...
-
Emerson amplia la gamma NI PXI
Le più recenti aggiunte al portafoglio VST (Vector Signal Transceiver) NI PXI di Emerson...
-
Microchip presenta una serie di DSC essenziali
Microchip Technology ha introdotto una nuova famiglia di Digital Signal Controller (DSC) che permette...

















