Renesas: soluzione GaN resistente alle radiazioni

Renesas Electronics ha annunciato la disponibilità del primo driver low side sviluppato con tecnologia GaN resistente alle radiazioni. Questo driver, siglato ISL70040SEH, è usato per pilotare i FET, anch’essi con tecnologia a nitruro di Gallio, impiegati nello sviluppo sia del circuito primario che di quello secondario dei convertitori DC/DC degli alimentatori degli stadi di lancio e dei satelliti , ma anche per applicazioni che richiedono un elevato livello di affidabilità come per esempio le trivelle e le applicazioni industriali ad alto livello di sicurezza. Questi dispositivi, infatti, possono essere impiegati per pilotare alimentatori di potenza, circuiti di controllo motori, moduli di controllo dei sistemi di riscaldamento, moduli di controllo embedded, sistemi di condizionamento del segnale e circuiti di switching in sistemi ridondanti.

Il FET GaN ISL7023SEH a 100 V e 60 A e il FET GaN ISL70024SEH da 200 V e 7,5 A si basano sulla tecnologia prodotta da Efficient Power Conversion Corporation (EPC).

I dispositivi ISL70023SEH e ISL70024SEH sono prodotti seguendo il flusso MIL-PRF-38535 Class V-like che offre la garanzia delle specifiche nella gamma delle temperature militari.

Contenuti correlati

• 
  Melexis presenta un nuovo driver per ventole

  Melexis ha ampliato la famiglia di driver per ventole di raffreddamento MLX90412 con un nuovo modello per dispositivi a bobina singola. Il nuovo componente, siglato MLX90412-D, è ottimizzato per applicazioni come per esempio i sistemi di alimentazione...
• 
  Renesas Electronics acquisisce Pictorus

  Renesas Electronics ha annunciato l’acquisizione, tramite una sua controllata, di Pictorus, società di sviluppo software con sede a Oakland, in California. Il produttore precisa che questa operazione permette all’azienda di disporre di una piattaforma di modellazione comportamentale...
• 
  Da Cyient Semiconductors 7 dispositivi GaN da 650 V

  Cyient Semiconductors ha presentato i primi risultati della sua collaborazione strategica con Navitas Semiconductor annunciata a dicembre 2025. Si tratta di sette nuovi dispositivi GaN destinati al mercato indiano, sviluppati sulla tecnologia di Navitas. In base ai...
• 
  Nuovi gate driver da STMicroelectronics

  STMicroelectronics ha realizzato due nuovi gate driver che ottimizzano i vantaggi della tecnologia GaN. Si tratta due dispositivi half-bridge ad alta velocità, siglati rispettivamente Stdriveg212 e Stdriveg612 utilizzabili per applicazioni di potenza e controllo del movimento in...
• 
  I chip di Renesas per Artemis II

  I circuiti integrati radiation hardened (rad-hard) di Renesas sono stati utilizzati per la missione Artemis II della Nasa, lanciata dal Kennedy Space Center in Florida. Si tratta della prima missione con equipaggio che orbita intorno alla Luna...
• 
  Renesas presenta uno switch GaN bidirezionale

  Renesas ha presentato uno switch bidirezionale basato su tecnologia GaN e depletion mode (d mode). Il nuovo componente può bloccare sia correnti positive che negative in un unico dispositivo e dispone di blocco in DC integrato. Il produttore precisa...
• 
  Nuove soluzioni di ricarica GaN da Renesas

  Renesas ha sviluppato nuove soluzioni per adattatori e alimentazioni AC/DC con la nuova piattaforma Half-Wave LLC (Hwllc) basata su tecnologia GaN. La nuova topologia del convertitore Hwllc è particolarmente efficiente e compatta, ed è progettata per sistemi...
• 
  Disponibile la piattaforma Renesas 365

  Renesas ha reso disponibile Renesas 365, Powered by Altium, una piattaforma intelligente basata su un ambiente cloud progettata per unire silicio e sistemi attraverso un ecosistema aperto su larga scala. L’azienda precisa che questa piattaforma end-to-end unisce...
• 
  Accordo di licenza tra EPC e Renesas

  Efficient Power Conversion e Renesas hanno siglato un accordo di licenza in base al quale Renesas avrà accesso alla tecnologia eGaN a bassa tensione di EPC e al suo ecosistema di supply chain, accelerando l’adozione di soluzioni GaN...
• 
  I transistor Gen 7 di EPC entrano in produzione di massa

  EPC (Efficient Power Conversion) ha annunciato l’inizio della produzione in volumi del suo primo dispositivo eGaN di settima generazione (Gen 7). Si tratta del modello EPC2366, un transistor di potenza che, secondo le informazioni del produttore, può...