Package innovativo per i MOSFET Toshiba

Toshiba Electronics Europe ha esteso la sua offerta di MOSFET di potenza a canale N con sei nuovi prodotti della serie DTMOSVI 600V. I componenti sono ospitati in package TO-247-4L(X) a 4 pin e sono stati progettati per ridurre significativamente le perdite di commutazione.

Il package include un terminale di sorgente di segnale dedicato per l’azionamento del gate. Questo miglioramento progettuale è in grado di ridurre significativamente l’impatto della commutazione dovuto all’induttanza del collegamento di source all’interno del package, un problema comune nelle versioni convenzionali a tre pin. In questi ultimi infatti, l’induttanza della connessione di source può ridurre la tensione effettiva di pilotaggio del gate, rallentando così la velocità di commutazione del MOSFET. Per contro, il package a quattro pin collega il terminale di source di segnale in prossimità del chip del FET, mitigando così questo effetto e rendendo la tensione applicata tra il gate e il source approssimativamente uguale alla tensione di pilotaggio del gate. Questo miglioramento consente di aumentare la velocità di commutazione.

Va comunque considerato che il package TO-247-4L(X) ha aspetto e dimensioni diverse rispetto al package TO-247-4L a quattro pin di Toshiba, in quanto presenta una cavità tra i pin di drain e source per aumentare la distanza di dispersione.

I nuovi MOSFET possono essere utilizzati per realizzare una vasta gamma di applicazioni, tra cui i server nei data center, gli alimentatori a commutazione (SMPS) per gli apparecchi industriali e i condizionatori di potenza per i generatori fotovoltaici.

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