Nuovo impianto di STMicroelectronics in Italia per i substrati SiC

STMicroelectronics realizzerà a Catania un impianto integrato, il primo di questo tipo in Europa, per la produzione di substrati in carburo di silicio (SiC). L’obiettivo è quello di supportare la domanda crescente di dispositivi SiC per applicazioni automotive e industriali da parte dei clienti ST.

L’investimento di 730 milioni di euro in un arco di cinque anni avrà il supporto finanziario dello Stato italiano nell’ambito del Piano Nazionale di Ripresa e Resilienza e, una volta completato, creerà circa 700 nuovi posti di lavoro diretti. Si prevede che la produzione inizierà nel 2023.

L’impianto di produzione di substrati in SiC si occuperà della produzione in volumi di substrati epitassiali in SiC da 150 mm e integrerà tutti i passaggi del flusso produttivo. ST sottolinea inoltre che è impegnata a sviluppare substrati da 200 mm nel prossimo futuro.

“ST sta trasformando le sue attività produttive globali, con una capacità addizionale nella produzione a 300 mm e una forte focalizzazione sui semiconduttori a larga banda interdetta, a sostegno della sua ambizione di raggiungere i 20 e oltre miliardi di dollari di ricavi. Stiamo ampliando le nostre attività operative a Catania, il centro delle nostre competenze nei semiconduttori di potenza e dove abbiamo già integrato attività di ricerca, sviluppo e produzione per il SiC in stretta collaborazione con istituti di ricerca italiani, università e fornitori,” ha dichiarato Jean-Marc Chery, President & Chief Executive Officer di STMicroelectronics. “Questo nuovo impianto sarà fondamentale per la nostra integrazione verticale nel SiC, ampliando la nostra fornitura di substrati in SiC in una fase in cui aumenteremo ulteriormente i volumi per sostenere la transizione da parte dei nostri clienti dei settori automotive e industriale verso l’elettrificazione e maggiore efficienza”.

Giuseppe De Gasperis

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