Nuovi Mosfet EcoSiC da Rohm

Rohm  ha sviluppato, nell’ambito della serie EcoSiC,  Mosfet SiC di quinta generazione ottimizzati per applicazioni di potenza ad alta efficienza.

Il produttore precisa che questa tecnologia è particolarmente adatta per i sistemi di powertrain elettrici nel settore automotive, come gli inverter di trazione per i veicoli elettrici,ma anche per gli alimentatori per server per AI e per apparecchiature industriali come i data center.

L’azienda ha iniziato a supportare il mercato dei bare dies con Mosfet SiC di quinta generazione nel 2025 e ne ha completato lo sviluppo nel marzo 2026. A partire dal Luglio 2026, Rohm fornirà campioni di dispositivi discreti e moduli che incorporano Mosfet SiC di quinta generazione.

I Mosfet SiC di quinta generazione di nuova concezione sono caratterizzati da un resistenza di ON durante il funzionamento ad alta temperatura (Tj=175 °C) ridotta di circa il 30% rispetto ai prodotti di quarta generazione (a parità di tensione di breakdown e dimensioni del chip).

Questo miglioramento contribuisce a ridurre le dimensioni delle unità, aumentando al contempo la potenza di uscita nelle applicazioni ad alta temperatura, come per esempio gli inverter di trazione per veicoli elettrici.

Il produttore prevede di ampliare la sua linea di Mosfet SiC di quinta generazione con ulteriori opzioni di tensioni di breakdown e package.

Contenuti correlati

• 
  Rohm a Pcim Europe 2026

  Pcim Expo & Conference 2026 vedrà Rohm impegnata in diverse dimostrazioni focalizzate sulle sue tecnologie per i semiconduttori di potenza e su come possano essere utilizzate per miniaturizzare i sistemi e ridurre le perdite di energia in...
• 
  Rohm: diodi ESD per interfacce oltre i 10 Gbps

  La serie di diodi ESD RESDxVx realizzata da Rohm è in grado di raggiungere sia una bassa resistenza dinamica (Rdyn) che una bassissima capacità. Queste caratteristiche rendono idonei i nuovi componenti all’utilizzo per un’ampia gamma di applicazioni...
• 
  Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive

  I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...
• 
  Rohm: chipset per alimentazione wireless

  Rohm ha realizzato un chipset per sistemi di alimentazione wireless utilizzabile per dispositivi indossabili compatti, come smart ring e smart band, o anche per periferiche come le smart pen. Il chipset è formato dal ricevitore ML7670 e...
• 
  Nuova tecnologia per i Mosfet di Toshiba

  Toshiba Electronics Europe ha sviluppato un Mosfet a canale N da 40 V basato sul processo produttivo U-MOS11-H di ultima generazione. Il dispositivo, siglato TPHR6704RL, è ottimizzato per l’impiego negli alimentatori a commutazione utilizzati nei data center,...
• 
  Nuovi amplificatori operazionali da Rohm

  Rohm ha aggiunto alla sua offerta le nuove serie di amplificatori operazionali Cmos siglate TLRx728 e BD728x. Questi componenti sono utilizzabili per diversi tipi di applicazioni, inclusi sistemi automotive, industriali e consumer. L’ampia gamma disponibile semplifica inoltre la...
• 
  Diodes amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Diodes ha aggiunto al suo portfolio di Mosfet a canale N con package PowerDI8080-5 conformi agli standard automotive un componente da 100 V con una resistenza RDS(ON) particolarmente bassa. Questo Mosfet è stato introdotto insieme a nuovi...
• 
  Sette nuovi Mosfet a super giunzione da Toshiba

  Toshiba ha esteso la sua serie di Mosfet Dtmosvi 600 V con struttura a super giunzione con i nuovi componenti a canale N Dtmosvi 600 V HSD (con diodo ad alta velocità). Si tratta di sette nuovi...
• 
  I nuovi Mosfet di Ideal Semiconductor

  Ideal Semiconductor ha ampliato la sua offerta di Mosfet SuperQ da 200 V con nuovi modelli caratterizzati da valori di RDS (on) particolarmente ridotti. La versione con packge di tipo TOLL offre infatti una RDS(on) massima di...
• 
  Package HPLF5060 per i MOSFET ROHM

  ROHM ha annunciato l’introduzione del nuovo package HPLF5060, che misura 4,9×6,0 mm, per i prodotti più recenti della sua serie di MOSFET a bassa tensione (40 V/60 V) destinati alle applicazioni nel settore automotive, come i circuiti di...