Le soluzioni ottimizzate di ROHM per l’architettura NVIDIA a 800 V

ROHM ha comunicato il supporto, tramite le sue soluzioni, della nuova architettura HVDC (High Voltage Direct Current) a 800 V di NVIDIA. Questa architettura ha l’obiettivo di ridurre l’utilizzo di rame, minimizzare le perdite di energia e semplificare la conversione di potenza nei data center. I componenti di ROHM si allineano ai progetti di NVIDIA di avviare l’implementazione su larga scala della nuova architettura HVDC per alimentare rack di elaborazione da 1 MW e oltre. L’elemento centrale della nuova infrastruttura di NVIDIA è la conversione dei 13,8 kV CA dalla rete elettrica direttamente in 800 V CC. L’iniziativa è progettata per risolvere le inefficienze dei tradizionali sistemi di alimentazione per rack a 54 V.

Il portfolio di dispositivi di potenza di ROHM comprende componenti con tecnologie sia in silicio che wide bandgap, tra cui carburo di silicio (SiC) e nitruro di gallio (GaN).

Un esempio è il MOSFET RY7P250BM, un componente a 100 V progettato specificamente per circuiti hot-swap in sistemi di alimentazione a 48 V, un componente essenziale nei server per applicazioni di intelligenza artificiale. Le caratteristiche principali includono elevate prestazioni in termini di SOA (Safe Operating Area) e una bassissima resistenza di ON (1,86 mΩ) in un package 8080 compatto. Queste caratteristiche contribuiscono a ridurre le perdite di potenza e a migliorare l’affidabilità del sistema. Con la transizione dei data center da 12 V a 48 V e oltre, la capacità hot-swap diventa fondamentale per mantenere i tempi di attività e proteggere dalle correnti di spunto

ROHM sta sviluppando tecnologie al nitruro di gallio con il brand EcoGaN. Mentre i componenti SiC sono più adatti ad applicazioni ad alta tensione e alta corrente, i dispositivi con tecnologia GaN offrono elevate prestazioni nell’intervallo da 100 V a 650 V, con una bassa resistenza di ON e una commutazione partecolarmente rapida. L’ampia gamma EcoGaN di ROHM include HEMT GaN da 150 V e 650 V, gate driver e circuiti integrati per stadi di potenza integrati. Allo stesso tempo, la tecnologia proprietaria Nano Pulse Control migliora ulteriormente le prestazioni di commutazione, riducendo la durata degli impulsi fino a 2 ns. Queste innovazioni supportano la crescente domanda di sistemi di alimentazione più compatti ed efficienti nei data center dedicati all’intelligenza artificiale.

Oltre ai componenti discreti, ROHM offre una gamma di moduli SiC ad alta potenza, inclusi package stampati con raffreddamento nella parte superiore come l’HSDIP20, dotati di chip SiC di quarta generazione. Questi moduli SiC a 1200 V sono ottimizzati per topologie LLC nei convertitori CA-CC e applicazioni lato primario nei convertitori CC-CC. Progettati per una conversione di potenza ad alta efficienza e alta densità, sono particolarmente adatti ai sistemi di alimentazione centralizzati previsti dall’architettura NVIDIA. Le loro elevate prestazioni termiche e la scalabilità li rendono interessanti  per busway da 800 V e configurazioni rack su scala MW.

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