Le innovazioni di imec per le memorie

imec ha presentato due interessanti innovazioni nella ricerca sulle memorie ferroelettriche. Questo tipo di memorie sta diventando sempre più interessante dato che tecnologie convenzionali come quelle Dram e Sram sono sempre più difficili da scalare e la richiesta di memoria per applicazioni di Intelligenza Artificiale è sempre maggiore. Gli approcci ferroelettrici si stanno dimostrando candidati promettenti perché possono combinare il funzionamento a bassa tensione con una integrazione 3D più elevata.

Le innovazioni presentate sono complementari e sono relative ai condensatori ferroelettrici a bassa tensione che potrebbero supportare future memorie di tipo Dram e ai FeFet (transistor a effetto di campo ferroelettrici) impilati verticalmente che aprono la strada ad architetture di memoria compatte e ad alta densità per i sistemi di Intelligenza Artificiale di prossima generazione.

In particolare, precisa imec, i condensatori ferroelettrici dimostrano di consentire un funzionamento a bassa tensione (circa 1,3 V) grazie alla riduzione dello spessore dello strato ferroelettrico, mantenendo al contempo un’elevata polarizzazione residua (maggiore di 40 μC/cm²) e una lunga durata (maggiore o uguale a 10¹³ cicli), requisiti fondamentali per le applicazioni di memoria di tipo Dram.

L’azienda sottolinea che questi progressi giungono in un momento critico per l’industria dei semiconduttori che richiede la necessità di nuovi approcci per la memoria per poter offrire una capacità di memoria sensibilmente maggiore. Nel complesso, queste innovazioni offrono percorsi complementari per affrontare le sfide in termini di prestazioni e costi per la realizzazione dei futuri sistemi.

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