IR: IGBT da 1400 V

International Rectifier ha presentato un robusto, affidabile e velocissimo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) da 1400 V con struttura trench (a trincea) che è stato ottimizzato le applicazioni che richiedono una commutazione dolce, come ad esempio i piani a induzione per cucine e i forni a microonde.

Inserito nello stesso contenitore insieme a un diodo a bassissima tensione diretta, il dispositivo IRG7PK35UD1PbF utilizza la tecnologia trench su wafer sottile Gen7 di IR, che garantisce una bassissima tensione VCE(ON) e una velocità di commutazione estremamente elevata per ridurre al massimo le perdite di conduzione e di commutazione nella realizzazione di sistemi di riscaldamento ad alto rendimento energetico. Estendendo la gamma di tensione del dispositivo fino a 1400 V, è possibile realizzare convertitori di potenza risonanti paralleli con circuiti riferiti a massa (single ended) di maggior potenza garantendo una maggiore tensione di guardia e ottenendo una maggiore robustezza dell’intero sistema.

 

 

lv

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