Gate driver ottimizzati per incrementare le prestazioni dei MOSFET SiC - Elettronica Plus

Gate driver ottimizzati per incrementare le prestazioni dei MOSFET SiC

Dalla rivista:
Elettronica Oggi

 
Pubblicato il 2 novembre 2024

Per far fronte alle esigenze del mercato, che richiede soluzioni caratterizzate da dimensioni sempre più compatte e alle pressioni esercitate sui progettisti per migliorare l’efficienza energetica, i MOSFET in carburo di silicio si stanno imponendo come una valida alternativa per queste applicazioni

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Bob Card, Marketing Manager - onsemi



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