GaN performance in NXP’s multi-chip modules for 5G infrastructure

NXP Semiconductors  announced the integration of Gallium Nitride (GaN) technology to its multi-chip module platform. Building on the company’s investment in its GaN fab in Arizona, NXP is the first to announce RF solutions for 5G massive MIMO that combine the high efficiency of GaN with the compactness of multi-chip modules.

Reducing energy consumption is a major goal for telecom infrastructure, where every point of efficiency counts. The use of GaN in multi-chip modules increases lineup efficiency to 52% at 2.6 GHz—8 percentage points higher than the company’s previous module generation. And NXP has further improved performance with a proprietary combination of LDMOS and GaN in a single device, delivering 400 MHz of instantaneous bandwidth that makes it possible to design wideband radios with a single power amplifier.

This energy efficiency and wideband performance are now available in the small footprint of NXP’s 5G multi-chip modules. The new portfolio will enable RF developers to reduce the size and weight of radio units, helping mobile network operators lower the cost of deploying 5G on cellular towers and rooftops.

NXP’s new 5G multi-chip modules will sample in Q3, with production starting later this year.

Contenuti correlati

• 
  Da Cyient Semiconductors 7 dispositivi GaN da 650 V

  Cyient Semiconductors ha presentato i primi risultati della sua collaborazione strategica con Navitas Semiconductor annunciata a dicembre 2025. Si tratta di sette nuovi dispositivi GaN destinati al mercato indiano, sviluppati sulla tecnologia di Navitas. In base ai...
• 
  Nuovi gate driver da STMicroelectronics

  STMicroelectronics ha realizzato due nuovi gate driver che ottimizzano i vantaggi della tecnologia GaN. Si tratta due dispositivi half-bridge ad alta velocità, siglati rispettivamente Stdriveg212 e Stdriveg612 utilizzabili per applicazioni di potenza e controllo del movimento in...
• 
  Accordo di licenza tra EPC e Renesas

  Efficient Power Conversion e Renesas hanno siglato un accordo di licenza in base al quale Renesas avrà accesso alla tecnologia eGaN a bassa tensione di EPC e al suo ecosistema di supply chain, accelerando l’adozione di soluzioni GaN...
• 
  I nuovi processori per automotive di NXP

  NXP Semiconductors ha presentato la serie di processori S32N7, basati su tecnologia a 5 nm e in grado di digitalizzare e centralizzare completamente le funzioni principali dei veicoli come per esempio propulsione, dinamica del veicolo, body, gateway...
• 
  Partnership tra Navitas e Cyient Semiconductors

  Navitas Semiconductor, specializzata in semiconduttori di potenza GaN e SiC, e Cyient Semiconductors, focalizzata nello sviluppo di semiconduttori ASIC, ASSP e di potenza, hanno stretto una partnership strategica pluriennale. L’obiettivo di questa collaborazione è la creazione in...
• 
  Tecnologia Affordable 5G RedCap per Marelli

  Marelli ha presentato la tecnologia 5G “Affordable 5G RedCap (Reduced Capability)” per la connettività a bordo veicolo. Il produttore sottolinea che si tratta di una tecnologia che offre numerosi vantaggi rispetto a quella 4G per applicazioni di...
• 
  Soluzione EIS per il chipset di NXP

  NXP Semiconductors ha sviluppato il suo primo chipset di battery management system (BMS) con EIS (Electrochemical Impedance Spectroscopy) integrata. Il produttore sottolinea che questo chipset permette una precisa sincronizzazione hardware-based delle misurazioni di tutte le celle in una...
• 
  Collaborazione tra eInfochips e NXP

  eInfochips, società di Arrow Electronics, e NXP Semiconductors hanno annunciato di aver stretto una collaborazione pluriennale focalizzata sulla distribuzione di software e sui servizi ai clienti. Questa collaborazione permetterà a eInfochips di fornire ai clienti NXP package software...
• 
  Infineon avanza nella produzione su wafer da 300 mm

  Infineon Technologies ha comunicato lo stato di avanzamento per la sua produzione scalabile di GaN su wafer da 300 millimetri. I primi campioni per i clienti saranno disponibili a partire dal quarto trimestre del 2025. La strategia...
• 
  NXP Semiconductors annuncia NTAG X DNA

  NTAG X DNA è un nuovo tag NFC connesso e sicuro di Tipo 4 di NXP Semiconductors. Il dispositivo è caratterizzato da 16 KB di memoria ad alta densità, un’elevata velocità di trasmissione dati (fino a 848...