Infineon avanza nella produzione su wafer da 300 mm

Infineon Technologies ha comunicato lo stato di avanzamento per la sua produzione scalabile di GaN su wafer da 300 millimetri. I primi campioni per i clienti saranno disponibili a partire dal quarto trimestre del 2025. La strategia produttiva di Infineon si basa principalmente su un modello IDM, che prevede la gestione dell’intero processo di produzione dei semiconduttori, dalla progettazione alla produzione e alla vendita del prodotto finale.

“La nostra produzione di GaN su 300 millimetri in larga scala ci consentirà di offrire il massimo valore ai nostri clienti ancora più rapidamente, raggiungendo al contempo la parità di costi per prodotti in silicio e GaN comparabili”, ha affermato Johannes Schoiswohl, responsabile della linea di business GaN di Infineon. “A quasi un anno dall’annuncio della svolta di Infineon nella tecnologia dei wafer GaN da 300 millimetri, siamo lieti che il nostro processo di transizione sia a buon punto e che il settore abbia riconosciuto l’importanza della tecnologia GaN di Infineon, resa possibile dalla solidità della nostra strategia IDM.”

Il produttore sottolinea inoltre che la produzione di chip su wafer da 300 millimetri è tecnicamente più avanzata e significativamente più efficiente rispetto ai wafer da 200 millimetri, poiché il diametro maggiore del wafer consente di produrre un numero di chip 2,3 volte superiore per wafer. Queste maggiori capacità sono particolarmente interessanti in uno scenario in cui i semiconduttori di potenza GaN sono sempre più rapidamente adottati in applicazioni industriali, automobilistiche, di consumo e di elaborazione e comunicazione.

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