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Fairchild Semiconductor: soluzioni SiC per convertitori di potenza più efficienti e affidabili

Dalla rivista:
Elettronica Oggi

 
Pubblicato il 8 febbraio 2013

Fairchild Semiconductor ha annunciato nuove soluzioni in tecnologia SiC (carburo di silicio) particolarmente adatte a sistemi per la conversione di potenza destinate ad applicazioni come energie rinnovabili, sistemi di controllo, alimentatori ad alta densità, industria automobilistica e motori downhole per la prospezione.

Tra i primi prodotti disponibili figura la linea di transistor SiC a giunzione bipolare (BJT) che vantano elevata efficienza, alta densità di corrente, robustezza e facilità operativa alle alte temperature. Sfruttando transistor efficienti, i BJT SiC di Fairchild consentono di raggiungere frequenze di switching più alte grazie alle minori perdite di conduzione e di commutazione (tra il 30% e il 50%) e fornendo fino al 40% di potenza di uscita in più nel medesimo fattore forma.

Inoltre, permettendo di usare induttori, condensatori e dissipatori di calore più piccoli, questi BJT possono ridurre i costi complessivi di un sistema anche del 20%. Questi livelli di prestazioni favoriscono una maggior efficienza e una superiore area operativa indenne da corto circuiti e bias inverso, svolgendo un ruolo significativo nell’ottimizzare la gestione dell’alimentazione delle applicazioni per la conversione ad alta potenza.

Nell’ambito di una soluzione completa in carburo di silicio, Fairchild ha anche sviluppato schede discrete plug & play (in versioni da 15 e 50 A) che, impiegate in combinazione con i BJT SiC di Fairchild, non solo forniscono velocità di commutazione superiori per ridurre le perdite di switching e aumentare l’affidabilità, ma permettono anche di implementare facilmente la tecnologia SiC all’interno di applicazioni. I BJT SiC sono infine disponibili in package TO-247.

A cura della redazione

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