Ensinger: gamma di poliimmidi Tecasint - Elettronica Plus

Ensinger: gamma di poliimmidi Tecasint

Dalla rivista:
Elettronica Oggi

 
Pubblicato il 31 ottobre 2012

Le tendenze emergenti nelle moderne applicazioni meccaniche e nell’impiantistica si concentrano sulla diminuzione dei volumi d’ingombro e sull’alleggerimento, fattori che richiedono densità inferiore, migliori proprietà a livello termico, meccanico e di resistenza all’usura dei materiali utilizzati. La gamma di poliimmidi Tecasint di Ensinger risponde in modo adeguato a tali esigenze, in quanto lo spettro termico applicativo di questi materiali è particolarmente ampio ed è compreso fra -270 e 300 °C, con possibilità di brevi esposizioni persino a 350 °C senza incorrere in problemi di fusione o rammollimento.

Inoltre, la stabilità termica è molto affidabile e si mantiene costante anche nel lungo termine, grazie a una temperatura di transizione vetrosa che varia in funzione del tipo di Tecasint, e compresa fra 260 e 400 °C. Il materiale offre al contempo ottime caratteristiche meccaniche, buon isolamento termico, eccellenti proprietà di isolamento elettrico, superiore resistenza alle radiazioni, elevata resistenza a pressione e al creep, buone proprietà criogeniche, caratteristiche intrinseche di autoestinguenza (UL 94 V0) ed espansione termica minima.

Queste proprietà garantiscono un’eccellente durata e resistenza all’usura anche nel caso di alte pressioni superficiali e velocità di scorrimento. La gamma Tecasint si caratterizza per l’elevata purezza, il basso degasaggio in presenza di vuoto e buona resistenza chimica ad acidi, grassi, lubrificanti e solventi.

I settori applicativi sono numerosi e diversificati e vanno dall’ingegneria meccanica, alla produzione di ingranaggi, all’automotive, settori che si giovano soprattutto delle eccellenti proprietà‚ di scorrimento dei gradi modificati con grafite/PTFE.

L’elevato isolamento elettrico alle alte temperature rende la gamma di poliimmidi di Tecasint anche particolarmente adatti alle industrie elettriche ed elettroniche. Questo materiale possiede un livello di impurità‚ ionica molto bassa e viene quindi usato per applicazioni nell’ambito di tecnologie in camera bianca, per esempio nella produzione di wafer.

A cura della redazione



Contenuti correlati

  • Semi
    Semi: aumentano le consegne di wafer in Q1

    Semi ha pubblicato i dati relativi alle spedizioni di wafer di silicio nel primo trimestre e, su base annua, sono aumentate del 13%. I dati indicano che le consegne hanno raggiunto 3.275 milioni di pollici quadrati (MSI)...

  • OMRON
    OMRON presenta una telecamera per camere bianche

    OMRON Electronic Components Europe ha introdotto un modulo avanzato di telecamera di sicurezza, siglato B5T-007003. Peculiarità di questo componente è l’integrazione nel firmware di algoritmi con modelli AI pre-addestrati che permette di rilevare in modo affidabile gli...

  • SEMI
    Le previsioni di SEMI sulle spedizioni di wafer

    SEMI ha indicato delle stime incoraggianti nelle sue più recenti previsioni annuali sulle spedizioni di wafer in silicio. In base ai dati, SEMI prevede infatti che le spedizioni globali di wafer di silicio aumenteranno del 5,4% nel...

  • SEMI
    SEMI: riprende la crescita delle spedizioni di wafer

    Il SEMI Silicon Manufacturers Group (SMG), un comitato del SEMI Electronic Materials Group (EMG) ha segnalato, tramite la sua analisi trimestrale del settore dei wafer di silicio, un aumento del 9,6% su base annua delle spedizioni di...

  • Infineon apre una nuova fabbrica di chip per l’elettronica di potenza in Austria

    Infineon Technologies ha aperto ufficialmente la sua nuova fabbrica di chip per l’elettronica di potenza su wafer sottili da 300 millimetri a Villach, in Austria. Con il motto “Ready for Mission Future“, il CEO di Infineon Reinhard...

  • STMicroelectronics produce i primi wafer in carburo di silicio da 200 mm

    STMicroelectronics ha annunciato di avere prodotto, nel suo stabilimento di Norrköping, in Svezia, i primi wafer in carburo di silicio (SiC) da 200 mm (equivalenti a 8 pollici) per la prototipazione di dispositivi di potenza di nuova...

  • Cree e ST ampliano ed estendono l’accordo sulla fornitura di wafer

    Cree e STMicroelectronics hanno ampliato ed esteso l’accordo pluriennale a lungo termine già esistente per la fornitura di wafer in carburo di silicio (SiC) da parte di Cree. Questa estensione porta il valore a oltre 500 milioni...

  • Il fascino del modello fabless

    Secondo le notizie pubblicate online da diversi organi di stampa, ma non confermate, sembrerebbe che Fujitsu abbia cercato di vendere a TSMC la sue fabbrica di chip high-end.La fabbrica...

  • Produzione di chip: il primato spetta a Taiwan

    A luglio 2011, secondo i dati pubblicati da IC Insights, Taiwan è diventato il primo Paese al mondo per capacità produttiva di wafer, superando Giappone e Corea. È la prima volta che il...

  • Produzione di chip: il primato spetta a Taiwan

    A luglio 2011, secondo i dati pubblicati da IC Insights, Taiwan è diventato il primo Paese al mondo per capacità produttiva di wafer, superando Giappone e Corea. È la prima volta che il...

Scopri le novità scelte per te x