CGD sigla un accordo sul GaN con Chicony Power e Cambridge University Technical Services - Elettronica Plus

CGD sigla un accordo sul GaN con Chicony Power e Cambridge University Technical Services

Pubblicato il 9 novembre 2023
CGD

L’azienda fabless Cambridge GaN Devices (CGD), specializzata in dispositivi di potenza al nitruro di gallio (GaN), ha siglato un accordo con l’azienda taiwanese Chicony Power Technology e con l’impresa britannica Cambridge University Technical Services (CUTS) per progettare e sviluppare adattatori ad alta densità di potenza e alimentatori per data center utilizzando la tecnologia GaN.

Recentemente CGD ha realizzato la seconda serie della famiglia di HEMT (high-electron-mobility-transistor) al nitruro di gallio da 650 V ICeGaN, che impiegano l’interfaccia di gate  sviluppata da CGD che elimina pressoché del tutto il tipico punto debole dei transistor al GaN funzionanti in modalità di arricchimento (“e-mode”), offrendo una affidabilità contro le sovratensioni notevolmente migliorata, soglia più alta di immunità al rumore, soppressione del transitorio dV/dt e protezione contro la scarica elettrostatica.

Giorgia Longobardi, Amministratrice Delegata di CGD, ha dichiarato:”Chicony Power è uno dei principali produttori di alimentatori a commutazione al mondo e quindi questo accordo rappresenta una straordinaria pietra miliare nel cammino di CGD volto a fornire una tecnologia per dispositivi di alimentazione efficienti sia ai nostri clienti che alla società in generale. La combinazione dei punti di forza delle nostre aziende, insieme al gruppo HVMS presso l’Università di Cambridge, rinomato a livello globale, accelereranno lo sviluppo e l’adozione di soluzioni per alimentazione ad alta densità di energia in una vasta gamma di applicazioni”.

Peter Tseng, Presidente di Chicony Power Technology ha affermato: “Chicony Power intende collaborare con CGD e HVMS a causa del loro notevole know-how nel settore del GaN. CGD ha già realizzato la seconda serie dei suoi HEMT ICeGaN che offrono prestazioni ineguagliate in termini di affidabilità e facilità d’uso. E grazie alle sue radici e ai legami ancora solidi stretti con l’Università di Cambridge, CGD può avvalersi di 25 anni di esperienza nell’ambito della ricerca universitaria – un periodo di tempo più lungo rispetto a molte altre aziende affermate nel settore del GaN”.



Contenuti correlati

  • CGD
    Nuova collaborazione tra CGD e NXP

    Cambridge GaN Devices (CGD) e NXP Semiconductors hanno annunciato una nuova collaborazione a lungo termine che consentirà a NXP di sviluppare soluzioni di sistema basate su GaN utilizzando i prodotti di CGD, di avere l’accesso anticipato agli...

  • cgd
    Nuovo dispositivo ICeGaN da 650 V da CGD

    Cambridge GaN Devices (CGD) ha sviluppato un dispositivo con tecnologia GaN da 650 V utilizzabile per applicazioni automotive. Il produttore sottolinea che l’obiettivo è di migliorare l’efficienza degli inverter e di facilitare la realizzazione di prodotti più...

  • Cyient
    Da Cyient Semiconductors 7 dispositivi GaN da 650 V

    Cyient Semiconductors ha presentato i primi risultati della sua collaborazione strategica con Navitas Semiconductor annunciata a dicembre 2025. Si tratta di sette nuovi dispositivi GaN destinati al mercato indiano, sviluppati sulla tecnologia di Navitas. In base ai...

  • STMicroelectronics
    Nuovi gate driver da STMicroelectronics

    STMicroelectronics ha realizzato due nuovi gate driver che ottimizzano i vantaggi della tecnologia GaN. Si tratta due dispositivi half-bridge ad alta velocità, siglati rispettivamente Stdriveg212 e Stdriveg612 utilizzabili per applicazioni di potenza e controllo del movimento in...

  • EPC
    Accordo di licenza tra EPC e Renesas

    Efficient Power Conversion e Renesas hanno siglato un accordo di licenza in base al quale Renesas avrà accesso alla tecnologia eGaN a bassa tensione di EPC e al suo ecosistema di supply chain, accelerando l’adozione di soluzioni GaN...

  • CGD
    Nuovo CEO a CGD

    Cambridge GaN Devices (CGD), azienda fabless focalizzata sullo sviluppo di dispositivi di potenza basati su GaN, ha annunciato la nomina a CEO di Fabio Necco. L’azienda precisa che l’iniziativa è stata concepita per favorire l’ingresso nei mercati...

  • Navitas
    Partnership tra Navitas e Cyient Semiconductors

    Navitas Semiconductor, specializzata in semiconduttori di potenza GaN e SiC, e Cyient Semiconductors, focalizzata nello sviluppo di semiconduttori ASIC, ASSP e di potenza, hanno stretto una partnership strategica pluriennale. L’obiettivo di questa collaborazione è la creazione in...

  • Infineon
    Infineon avanza nella produzione su wafer da 300 mm

    Infineon Technologies ha comunicato lo stato di avanzamento per la sua produzione scalabile di GaN su wafer da 300 millimetri. I primi campioni per i clienti saranno disponibili a partire dal quarto trimestre del 2025. La strategia...

  • Infineon
    I nuovi transistor GaN di Infineon resistenti alle radiazioni

    Infineon Technologies ha annunciato il primo componente di una nuova famiglia di componenti realizzati con tecnologia al nitruro di gallio (GaN) resistenti alle radiazioni. Questi transistor sono stati realizzati sulla base della tecnologia CoolGan e sono stati...

  • TI
    TI: nuovi componenti per il power management

    Texas Instruments (TI) ha presentato i nuovi chip per il power management, tra cui un eFuse hot-swap a 48V utilizzabile per i data center e nuovi stadi di potenza con tecnologia GaN in package TOLL. L’eFuse TPS1685...

Scopri le novità scelte per te x