EON
EWS
n
.
609
-
GIUGNO
2017
17
MACOM ha invece annuncia-
to un nuovo commutatore per
onde millimetriche in package
SMT, adatto per l’uso nelle
bande di frequenza a 28, 37
e 39 GHz. Identificato dalla
sigla MASW-011098, que-
sto dispositivo è stato realiz-
zato utilizzando il processo
AlGaAs (arseniuro di gallio
e alluminio) brevettato da
MACOM per garantire supe-
riori prestazioni in termine di
commutazione e garantire ri-
dotte perdite di inserzione ed
elevato isolamento. Perdite di
inserzione ridotte comporta-
no una diminuzione della po-
tenza richiesta all’amplificato-
re PA (Power Amplifier), con
A
ffermazione e rapida diffu-
sione dei Cdc (Cloud Data
Center), collegamenti wire-
less che viaggiano verso il 5G
a rapido incremento dell’uso
della tecnologia GaN on sili-
con: questi i principali trend di
mercato delineati da Markus
Schaefer, direttore vendite
per l’area Emea di
MACOM
durante l’ormai tradizionale
incontro con la stampa di set-
tore. “Dall’ultima conferenza
stampa abbiamo notevol-
mente incrementato il fattu-
rato, che nel 2016 è stato di
544,3 milioni di dollari, e ab-
biamo aumentato il numero
dei dipendenti, che oggi sono
1400. Dunque, la transizione
verso una società totalmen-
te diversa rispetto a tre anni
fa è avvenuta”, dice Markus
Schaefer, sales director
EMEA “e questo anche gra-
zie a numerose acquisizioni
che sono avvenute in questi
anni e che hanno permesso
alla società di crescere e al-
largare al propria offerta, che
oggi conta oltre 3000 prodotti
su 40 linee di prodotto”. Tra le
acquisizioni, l’ultima, peraltro
molto importante, è quella di
Applied Micro lo scorso no-
vembre, attiva anella realiz-
zazione di SoC ARM dedicati
al mercato enterprise, e cloud
computing.
Un’offerta completa
per CdC…
Per soddisfare le richieste
di banda, resilienza e ridon-
danza dei dati richiesti dagli
odierni Cdc, le interconnes-
sioni ottiche stanno rapida-
mente migrando da 100G a
400G, alimentando la do-
manda di link ottici ad alta
velocità. Per incrementare la
densità di ampiezza di banda
per porta, gli OEM attivi nel
settore dei data center utiliz-
zeranno data rate sempre più
elevate e, per supportare ciò,
è necessario ricorrere a mo-
duli nei fattori di forma QSFP,
QSFP-DD e OSFP. Tra le più
recenti novità di MACOM in
questo settore, da segnalare
un nuovo chipset che utilizza
la tecnologia di modulazione
PAM-4 (che utilizza quattro
distinte ampiezze di impul-
so per trasmettere i dati) per
supportare velocità di 100G
su una singola lunghezza
d’onda, consentendo la con-
nettività su singola fibra e su
fibre parallele a 4 canali nelle
applicazioni 100, 200 e 400G
Ethernet. Questo chipset in-
tegra un nuovo amplificatore
a transimpedenza (TIA), di-
spositivi per la temporizzazio-
ne e il recupero dei dati (CDC
– Clock and Data recovery) in
ricezione e in trasmissione e
un modulo di pilotaggio EML
(Electro-Absorption Modula-
ted Laser).
…reti 5G…
Guida autonoma, realtà vir-
tuale e aumentata, case e
città sempre più “intelligen-
ti”, necessità di “spingere al
massimo” la velocità di con-
nessione: questi gli elementi
alla base della proliferazione
delle infrastrutture 5G. Per
le infrastrutture 5G wireless,
Cloud data center, 5G
wireless e GaN on Si
alla base degli ottimi
risultati della società
L
AURA
G
ALLI
MARKUS
SCHAEFER
,
sales director
EMEA di
MACOM
MACOM
: i driver
della crescita
notevoli vantaggi in termini di
riduzione delle problematiche
termiche, aumento della por-
tata del link e miglioramento
della sensibilità del ricevitore.
... e GaN on Si
Esistono parecchie teorie er-
rate sulla tecnologia GaN on
Si: si va dal fatto che i dispo-
sitivi realizzati con tale tecno-
logia siano limitati all’uso in
applicazioni con potenza di
uscita fino a 100W alla loro
presunta incapacità di dissi-
pare il calore in maniera effi-
ciente, alle minori prestazioni
offerte rispetto a componenti
realizzati utilizzando il proces-
so Gan on SiC. Si tratta di teo-
rie e convinzioni che MACOM
è riuscita a sfatare, con l’intro-
duzione di prodotti affidabili e
in grado di garantire un rap-
porto costo/W particolarmen-
te competitivo. La società è al
momento l’unico produttore di
soluzioni GaN on Si destinate
ad applicazioni RF: l’offerta
si articola su transistor di po-
tenza RF, offerti sotto forma
di dispositivi discreti e moduli
progettati per operare dalla
DC fino a 6 GHz.
A
TTUALITÀ