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XV
POWER 14 -
SETTEMBRE 2017
MOSFET
I MOSFET SIC di-
screti possono sosti-
tuire gli equivalenti
dispositivi in silicio
negli alimentatori
ausiliari utilizzati nei
sistemi industriali trifa-
se, offrendo una soluzione più compatta e più efficiente.
ROHM Semiconductor propone una serie di esempi ap-
plicativi basati sulla tecnologia SiC e su soluzioni integra-
te dedicate, che facilitano lo sviluppo degli alimentatori
ausiliari, riducendo i tempi di progettazione e acceleran-
do il time to market.
I convertitori di potenza utilizzati nei sistemi industria-
li, come inverter fotovoltaici (PV), sistemi di continuità
(UPS) e azionamenti per motori, richiedono sempre di
un’unità di alimentazione ausiliaria (AUX). Tale unità
fornisce l’alimentazione necessaria per le periferiche di
sistema – quali microprocessore, display LCD, sensori,
ventilatori – così come i gate driver all’interno del circu-
ito di alimentazione principale.
La potenza di uscita di questi alimentatori AUX, che
operano a bassa tensione continua, è nell’ordine delle
decine di Watt. La configurazione normalmente utilizza-
ta è di tipo flyback, mentre i livelli di tensione in ingres-
so possono arrivare fino a 480 Vac (nei sistemi trifase) o
a 900 Vdc.
Considerando la tensione riflessa sul lato primario du-
rante lo stato di blocco, i rumori sulla linea, le sovraten-
sioni indotte e il margine tenuto in fase progettuale, è
normalmente necessario uno switch di potenza con ten-
sione nominale superiore a 1500V.
Utilizzando dispositivi standard in silicio, per esempio
dispositivi a bassa tensione oppure soluzioni inefficien-
ti come i MOSFET in silicio da 1500V (che presentano
perdite elevate e richiedono dissipatori ingombranti e
costosi), le possibili implementazioni diventano com-
plesse ed inefficienti.
Al fine di superare questi limiti è possibile utilizzare un
unico dispositivo ad alte prestazioni come ad esempio
un MOSFET SiC da 1700V.
Come mostrato in figura 1, ROHM offre una famiglia
di MOSFET SiC da 1700V che include versioni con re-
sistenza di conduzione di 0,75Ω e 1,15Ω, disponibili in
2 diversi package, cioè TO-268-2L e TO-3PFM . Il primo
package è di tipo SMD, mentre il secondo è totalmente
resinato e isolato. Entrambi prevedono valori di creepa-
ge estesi, rispettivamente 5 mm e 5,45 mm.
MOSFET SiC da 1700V e controllore
quasi-risonante:
una soluzione
efficiente per alimentatori ausiliari
ROHM Semiconductor propone una serie di esempi applicativi basati sulla tecnologia
SiC e su soluzioni integrate dedicate che facilitano lo sviluppo degli alimentatori
ausiliari, riducendo i tempi di progettazione e accelerando il time to market
Fig. 1
– Famiglia di MOSFET SiC da 1700V di ROHM Semiconductor
1700V
TO-268-2L SCT2750NY SCT2H12NY
TO-3PFM
-
SCT2H12NZ
Power
Field application engineer
Application engineer power
ROHM Semiconductor