DIGITAL
STORAGE
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- ELETTRONICA OGGI 440 - OTTOBRE 2014
verso le memorie dagli I/O più sofisticati e questo
può creare dei veri e propri colli di bottiglia, che fa-
talmente provocano degli interrupt con l’inevitabile
intervento da parte della CPU, che di conseguenza
sottrae parte delle sue risorse di calcolo ad altre ap-
plicazioni. Il valore aggiunto dell’alta velocità delle
memorie e del bus viene così vanificato causando
un degradamento delle prestazioni soprattutto in
termini di rapidità di risposta.
La tecnologia Memory Channel Storage può risolve-
re questa difficoltà fornendo dei canali diretti fra le
CPU e le memorie Flash ed è, inoltre, compatibile
con le interfacce DDR3. Inoltre, consente di realiz-
zare canali diretti verso entrambi i tipi di memorie,
volatili e non volatili, e formare banchi di memorizzazione
scalabili a piacimento in funzione delle esigenze. Questi van-
taggi sono molto promettenti non solo per i grandi server
con forti esigenze di capienza e di
rapidità d’indirizzamento, ma an-
che per le applicazioni embedded
nelle quali la flessibilità è un requi-
sito fondamentale.
Con questa tecnologia Diablo
Technologies ha sviluppato le
memorie TeraDIMM, caratterizza-
te dalla grande capienza diretta-
mente utilizzabile dalle CPU senza
interfacce intermedie, che quin-
di possono scaricare e caricare
istantaneamente quantità di dati
e/o istruzioni migliaia di volte in
più rispetto alle attuali tecnologie.
Le nuove ULLtraDIMM prodotte da
SanDisk
in geometria di riga da 19
nm con la tecnologia MCS NAND
di Diablo Technologies, hanno ca-
pienza di 200 o 400 GByte, tempo
di latenza inferiore a 5 μs e due
milioni di ore di vita MTBF senza
errori.
DIMM non volatili espresse
La prospettiva di avvicinare le memorie non volatili alle CPU
sta orientando molti laboratori verso le DIMM, che ben si pre-
stano a sviluppare soluzioni efficaci e versatili, che tendono
sempre più a poter essere considerate delle DRAM non vola-
tili. Sfruttando questo approccio,
Viking Technology
ha rea-
lizzato le sue nuove NVDIMM ArxCis-NV, che montano nello
stesso supporto di una DDR3 un uguale quantità di memorie
DRAM volatili e Flash non volatili, entrambe sottoposte a una
semplice quanto efficace tecnologia di controllo, che fa in
modo che il contenuto delle memorie ad accesso diretto sia
continuamente ricopiato nelle Flash con un collegamento di-
retto e senza rallentamenti nell’utilizzo delle prime da parte
della CPU. Grazie a ciò permane in forma non volatile una
copia perfetta dei contenuti elabo-
rati dalla CPU e questa copia vie-
ne continuamente aggiornata per
poter servire come buffer perenne
che, in caso di necessità, come per
esempio alla riaccensione del si-
stema e della CPU, consenta di in-
vertire il processo e fare in modo
che tutto il contenuto delle Flash
torni a essere immediatamente
travasato nelle DRAM. Viking offre
le ArxCis-NV nei tagli da 2, 4 e 8
GByte con interfaccia di 1333 MHz,
temperatura operativa che va da 0
a 70 °C e ritenzione dati garantita
per 10 anni. La possibilità di mon-
tare sia DRAM sia Flash rende le
DIMM estremamente versatili e
particolarmente adatte per realiz-
zare svariate soluzioni di memoria,
sia quanto più vicino possibile alla
CPU sia esterne a bordo dei dispo-
sitivi rimovibili, pur preservando in entrambi i casi le mi-
gliori prestazioni in termini di capienza di memorizzazione e
velocità di trasferimento. Per superare il rischio dei rallen-
tamenti nell’uso dei bus seriali PCI Express come canali di
trasferimento fra la CPU e le Flash il
Non-Volatile Memory
Host Controller Interface Working Group
sta mettendo a
punto lo standard NVM Express, o NVMe, dove aumenta un
po’ la complessità dell’interfaccia di controllo rispetto ai bus
PCI Express, ma ne viene massimizzata la velocità soprattut-
to in presenza di canali multipli.
PMC-Sierra
ha attualmente
in produzione tre controller NVMEC08/16/32 rispettivamen-
te a 8, 16 e 32 canali NVMe, che sono anche compatibili con
i bus PCI Gen 3.
Q
Fig. 3 – Le memorie NVDIMM ArxCis-NV di Viking
Technology montano al fianco delle DRAM anche un banco
di Flash dove ne viene continuamente ricopiato il contenu-
to senza penalizzare la velocità di lavoro della CPU
Fig. 2 – Le nuove ULLtraDIMM sono prodotte da SanDisk con la tecnologia Memory
Channel Storage di Diablo Technologies con capienza di 200 o 400 GByte e latenza
inferiore a 5 μs
