DIGITAL
STORAGE
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- ELETTRONICA OGGI 440 - OTTOBRE 2014
di nuova generazione che ce l’ha già a bordo. Le HMC sono
state sviluppate da Micron Technology e ora sono sostenute
dall’HMC Consortium di cui fa parte anche IBM insieme a nu-
merosi altri protagonisti del settore.
In pratica, consentono di realizzare memorie multilivello con
quattro oppure otto die per package utilizzando connessioni
TSV, Through-Silicon-Vias, che consentono di massimizzare
la densità di memorizzazione e realizzare cubetti di 31x31x3,8
mm da 1 GByte. Inol-
tre, l’approccio è mo-
dulare e consente
di interconnettere i
cubetti in gruppi di
otto,
moltiplicando
ulteriormente la capa-
cità di memoria fino a
8 GByte per blocco.
La velocità è elevata
e offre 10 Gbps per
linea ma, dato che di
linee ce ne sono se-
dici, ecco che in ogni
cubo si arriva a 160
Gbps, mentre l’ener-
gia necessaria in let-
tura o scrittura è di
circa 6 pJ/bit. La sca-
labilità è un grande
vantaggio delle HMC,
perché riduce le con-
nessioni e semplifica
il layout, mentre nel
contempo accelera i
trasferimenti dei dati.
Il problema principale
delle HMC è che non
possono direttamente
interfacciarsi con le
DDR2, DDR3 e DDR4 e
perciò necessitano di
un controllore speci-
fico. Micron ha già in
produzione due HMC
da 2 e da 4 GByte
realizzate in packa-
ge BGA o Fbga con
alimentazione a 1,2V,
tolleranza termica da
0 a 95 °C e interfaccia
15G SR.
Canali diretti fra DIMM e CPU
Le popolari memorie DRAM Dual-Inline Memory Modules
(DIMM) sono state perfezionate da
Diablo Technologies
con
l’introduzione di un canale diretto fra le memorie e la CPU
ossia con lo sviluppo delle nuove Memory Channel Storage
DIMM. Invero, un problema tipico delle moderne memorie
Flash ad alta velocità appoggiate ai bus seriali come PCI Ex-
press è la probabilità di conflitto nell’indirizzamento dei dati
