ANALOG/MIXED SIGNAL
MOSFET
derare che la tensione di rottura effettiva supera il valore
nominale di 25 °C del 5-10% e aggiungere pertanto un
margine di progettazione corrispondente che potrà risul-
tare molto utile nella pratica.
Altrettanto importante, ai fini di una corretta selezione dei
MOSFET, è la comprensione del ruolo della tensione
gate-source V
GS
utilizzata nei valori delle resistenze di
conduzione R
DS(on
. Si tratta della tensione che garanti-
sce la completa attivazione di un MOSFET a una data
R
DS(on)
massima. Per questo motivo, i valori delle resi-
stenze di conduzione sono sempre collegati ai livelli
di V
GS
e sono gli unici valori di tensione ai quali la
resistenza di conduzione è garantita. Una conseguen-
za significativa per la progettazione è il fatto che non
si può attivare completamente un MOSFET con una
tensione inferiore al valore più basso di V
GS
utilizza-
to per il valore della R
DS(on)
. Per esempio, per essere
completamente attivato da un microcontroller da 3,3V,
il MOSFET dovrà avere una resistenza di conduzione
classificata a V
GS
= 2,5V o più bassa. Le applicazioni
che richiedono il funzionamento dei MOSFET nella
regione lineare avranno una tensione V
GS
inferiore a
quella utilizzata nelle schede tecniche relative ai valori
delle resistenze di conduzione. Tali applicazioni sono
possibili ma richiedono una speciale attenzione per
via della potenziale instabilità termica della modalità di
funzionamento lineare.
Fig. 2 - Mentre tutti i valori di potenza e corrente massima
assoluta sono reali e vengono misurati durante la caratteriz-
zazione del MOSFET, il progettista deve basare la selezione
dei componenti sulle condizioni maggiormente pertinenti
all’applicazione
