POWER 2 - luglio/agosto 2013
III
Dopo la contrazione del mercato dei transistor di potenza nel 2012,
che si è attestato a 12,3 miliardi di dollari, le vendite di questi com-
ponenti dovrebbero crescere nel 2013 del 7%, raggiungendo i 13.2
miliardi di dollari. A sostenerlo è
in un suo report che stima
anche che per il 2014 le vendite dovrebbero aumentare dell’8%, per
arrivare a un valore di 14,3 miliardi di dollari.
Storicamente le vendite di transistor di potenza sono scese tre volte
negli ultimi dieci anni: nel 2005 quando si è registrata una diminuzione
del 5%, nel 2009 quando il calo è stato del 16% e nel 2012 con un
riduzione dell’8%.
I transistor di potenza comunque
continuano a dominare il seg-
mento dei semiconduttori discreti
(hanno costituito il 57% delle
vendite totali) che, nel suo com-
plesso ha visto una contrazione
del 7% nel 2012 attestandosi a
21,7 miliardi di dollari, preceduta
però da un crescita del 12% nel
2011.
Gli analisti di IC Insights stimano
che i transistor di potenza rag-
giungeranno il 61% del totale
semiconduttori discreti venduti
entro il 2017, e che tra il 2012 e il
2017 le vendite avranno un CAGR
dell’8,5%, contro un CAGR del
7% previsto per quelle dei semi-
Aumentano le vendite
dei
transistor di potenza
MERCATI/ATTUALITÀ
conduttori discreti nel loro complesso. La crescita maggiore all’interno
del segmento dei transistor di potenza si prevede che riguarderà o
FET low voltage (fino a 40 V) le cui vendite nei prossimi cinque anni si
prevede che avranno n CAGR del 9,7%.
Anche le vendite di moduli IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) si
prevede che cresceranno in modo sensibile, con un CAGR stimato del
9.2% nel periodo dal 2012 al 2017, così come quelle dei transistor
IGBT dovrebbero essere caratterizzate da un CAGR dell’8,8%.
In crescita, nel periodo preso in considerazione, anche le vendite i
FET ad alta tensione (fino a 400V) il cui CAGR dovrebbe raggiungere
l’8,6%.
Tra i driver per la crescita dei transistor di potenza vanno annoverati
l’aumento della diffusione dei sistemi alimentati a batterie, l’incre-
mento delle vendite di autoveicoli elettrici, la diffusione di generatori
eolici e solari e, in generale, la tendenza al risparmio energetico.
NXP e lo sviluppo del GaN
Saranno destinati al reclutamento di personale aggiuntivo per
la ricerca e sviluppo, la realizzazione di prototipi, consulenze e
attrezzature per lo sviluppo, i due milioni di sterline che il Governo
britannico ha destinato a
per lo sviluppo della tecnologia al
Nitruro di Gallio (GaN) per i semiconduttori di potenza. I fondi saranno
utilizzati presso la struttura di ricerca di Stockport e permetteranno di
salvaguardare gli oltre 400 posti di lavoro esistenti e di creare fino a
100 nuove posizioni lavorative. Il finanziamento fa parte del Regional
Growth Fund e, in suo discorso a Manchester, Danny Alexander,
segretario al Tesoro, ha dichiarato: “Sono contento che i fondi del
Regional Growth Fund stiano supportando la struttura principale a
livello mondiale per la ricerca sulla tecnologia GaN a Stockport, con
un ingente investimento del settore privato e i posti di lavoro locali”.
POWER
è protagonista di un progetto del valore di 74 milioni di
euro per lo sviluppo di tecnologie produttive per i semiconduttori
di potenza. L’iniziativa EPPL (Enhanced Power Pilot Line) ha una
durata prevista di tre anni e coinvolge 32 partner europei legati sia
al mondo dell’industria sia a quello della ricerca.
L’intento di questa iniziativa è quello di rafforzare l’Europa
come area di produzione industriale ad alta tecnologia. Sabine
Herlitschka, chief technology e innovation officer di Infineon
Austria, a questo riguardo ha dichiarato: “Infineon è la sola azienda
al mondo che produce semiconduttori di potenza su wafer da
300 mm. Siamo orgogliosi e onorati di contribuire con la nostra
esperienza in questo settore al progetto EPPL e quindi al progresso
della tecnologia in Europa”.
Infineon per l’EPPL
