Fraunhofer Ipms: memoria Fram su scala industriale

I ricercatori del Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems (Ipms) sono riusciti a integrare la memoria Fram (memoria ad accesso casuale ferroelettrica) a base di ossido di afnio in una tecnologia di produzione industriale esistente.

Il principale vantaggio di questa memoria è che le informazioni vengono conservate anche in assenza di alimentazione e possono essere lette tutte le volte che è necessario senza perdita di dati.

L’aspetto probabilmente più interessante però risiede nell’integrazione di questa memoria nelle tecnologie di produzione industriale esistenti. I ricercatori hanno sviluppato un approccio riproducibile per l’integrazione di celle Fram ferroelettriche nel nodo tecnologico 22FDX di GlobalFoundries, una piattaforma specificamente progettata per la produzione di microchip a bassissimo consumo energetico. In pratica, le nuove celle di memoria operano a tensioni di esercizio a basso consumo energetico, inferiori a un volt, commutano in tempi nell’ordine dei nanosecondi e presentano una lunga durata, il che significa che possono sopportare in modo affidabile un elevato numero di cicli di scrittura e cancellazione.

Questa nuova tecnologia di memoria è particolarmente interessante per le applicazioni che dipendono dall’efficienza energetica, come per esempio sensori autonomi, sistemi alimentati a batteria o intelligenza artificiale on-device.

I ricercatori precisano infatti che la nuova tecnologia di memoria non volatile ha un consumo energetico di gran lunga inferiore rispetto alle soluzioni esistenti. Ciò consente l’utilizzo dell’Intelligenza Artificiale anche direttamente nelle applicazioni edge, dove i dati vengono elaborati localmente sul dispositivo.

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