Navitas presenta un piattaforma da 10 kW

Navitas Semiconductor ha sviluppato una piattaforma di alimentazione CC-CC da 10 kW caratterizzata da un’efficienza di picco fino al 98,5% e una frequenza di commutazione di 1 MHz. Queste caratteristiche permettono di ottenere una densità di potenza particolarmente elevata, utilizzabile per applicazioni come i data center AI di nuova generazione. La nuova piattaforma 800V–to–50V utilizza FET GaNFast da 650 V e 100 V in un’architettura half-bridge a tre livelli con rettifica sincrona. L’efficienza a pieno carico è del 98,1% e il package utilizzato è in formato full-brick (61x116x11 mm).

Il produttore sottolinea che la piattaforma production-oriented risultante supporta architetture da 800 V a 50 V e da + / – 400 V a 50 V a 10 kW, integrando alimentazione ausiliaria e controllo per semplificare l’adozione e consentire la progettazione di moduli ad alta densità di potenza per i data center AI HVDC di nuova generazione.

Navitas specifica che la piattaforma di progettazione consente la transizione verso un’infrastruttura di alimentazione per data center HVDC, supportando i futuri requisiti di alimentazione dei carichi di lavoro AI che richiederanno da 100 a persino 1.000 volte più potenza di calcolo per query

La piattaforma DC-DC da 10 kW è in fase di valutazione da parte dei clienti del settore data center attraverso uno sviluppo collaborativo e debutterà ad APEC, dal 22 al 26 marzo a San Antonio, Texas.

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