Quinta generazione per la tecnologia TAP di Navitas

Navitas Semiconductor ha annunciato la sua piattaforma tecnologica GeneSiC di quinta generazione. La nuova tecnologia MOSFET SiC Trench-Assisted Planar (TAP) ad alta tensione (HV) integra le tecnologie Navitas ad altissima tensione (UHV) da 2300 V e 3300 V della piattaforma GeneSiC di quarta generazione. Il produttore sottolinea che la nuova tecnologia riduce significativamente le perdite di commutazione, consentendo un funzionamento a temperature inferiori e una maggiore frequenza di funzionamento negli stadi di potenza più esigenti. Offre inoltre un significativo miglioramento delle prestazioni dinamiche ottimizzando la caratteristica RDS(ON) x EOSS e integrando la tecnologia “Soft Body-Diode” per migliorare ulteriormente la stabilità del sistema, riducendo al minimo le interferenze elettromagnetiche (EMI) e garantendo una commutazione più fluida durante i cicli di commutazione ad alta velocità.

La qualificazione AEC-Plus (il produttore utilizza questo termine per indicare i componenti che superano gli standard AEC-Q101 e JEDEC nei suoi test di affidabilità) di questa generazione garantisce stabilità e durata a lungo termine per data center AI, applicazioni energetiche e infrastrutture di rete.

“I nostri clienti stanno ridefinendo i confini della conversione di potenza nei data center AI e nelle infrastrutture energetiche, e Navitas li accompagna in ogni fase di questo percorso”, ha affermato Paul Wheeler, vicepresidente e direttore generale della Business Unit SiC di Navitas. Ha aggiunto: “I significativi miglioramenti tecnologici nella nostra tecnologia GeneSiC di quinta generazione sottolineano l’impegno di Navitas nel fornire prestazioni e affidabilità leader del settore nei MOSFET al carburo di silicio”.

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