CGD collabora con IFPEN per la tecnologia GaN

Cambridge GaN Devices (CGD) ed Energies nouvelles (IFPEN) hanno sviluppato un demo che evidenzia il vantaggi delle soluzioni GaN da 650 V CGD ICeGaN in un inverter da 800 V CC multilivello.

La demo è caratterizzata da un’elevatissima densità di potenza (30 kW/l) maggiore di quella ottenibile dai dispositivi al carburo di silicio (SiC). La realizzazione dell’inverter dimostra anche la facilità del collegamento in parallelo resa possibile dalla tecnologia IceGaN: ciascun nodo dell’inverter ha tre circuiti integrati ICeGaN da 25 mΩ / 650 V (36 dispositivi in tutto) in parallelo.

Questo inverter con tecnologia GaN può alimentare motori elettrici a una potenza continua di 75 kW e oltre 100 kW di picco.

Andrea Bricconi, Direttore marketing presso CGD, ha dichiarato: “Siamo estremamente soddisfatti di questo primo risultato della partnership stretta con IFPEN. La tensione di 800 V CC supporta il bus da 800 V sempre più diffuso nel settore dei veicoli elettrici. Rispondendo alle esigenze del settore automotive e di altre applicazioni di inverter ad alta tensione con soluzioni basate sulla tecnologia ICeGaN efficienti in termini di consumo energetico stiamo mantenendo l’impegno chiave di CGD – la sostenibilità”.

Gaetano De Paola, Program Manager presso ifpen ha dichiarato: “Sulla scia dell’attuazione di questo riferimento per l’inverter utilizzando i circuiti integrati CGD ICeGaN accoppiati con topologie innovative, come le soluzioni multilivello, IFPEN ora è convinta che quella del GaN sia un tecnologia innovativa in termini di prestazioni e costo per inverter di trazione ad alta tensione”.

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