Magnachip presenta la nuova generazione di SJ MOSFET ad alta tensione

Pubblicato il 17 gennaio 2022

Magnachip Semiconductor ha presentato 11 nuovi MOSFET SJ ad alta tensione da 600 V. L’azienda ha già rilasciato i primi campioni dei prodotti e prevede di avviarne la produzione in serie a marzo 2022.
I MOSFET SJ da 600 V di nuova generazione (2,5G) sono stati sviluppati utilizzando design basati sulla più recente tecnologia di processo per migliorare la funzionalità di commutazione di oltre il 10% rispetto alle generazioni precedenti.

Magnachip ha ottenuto infatti per i nuovi componeneti una minore perdita di commutazione e una migliore efficienza energetica. Per le applicazioni che richiedono un’elevata robustezza alle scariche elettrostatiche (ESD), è stato integrato un diodo Zener tra gate e source.
La nuova famiglia di prodotti di MOSFET SJ da 600 V supporta un Rds(on) di 190~580 mOhm ed è disponibile in package standard, come DPAK TO-220F e TO-220SF.

Questi nuovi prodotti 2.5G possono quindi essere ampiamente utilizzati in prodotti e applicazioni tra cui TV, infrastrutture di illuminazione, caricabatterie rapidi, adattatori, alimentazione per PC e alimentatori industriali. Sono anche adatti per topologie hard e soft-switching.



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