ON Semiconductor annuncia nuovi moduli MOSFET SiC per la ricarica di veicoli elettrici

ON Semiconductor ha ampliato la sua offerta di prodotti destinati al mercato dei veicoli elettrici (EV) con una coppia di moduli MOSFET SiC (Silicon Carbide) da 1200 V in configurazione 2-PACK.

I nuovi moduli MOSFET SiC M1 sono basati sulla tecnologia planare e adatti per tensioni di pilotaggio comprese tra 18 e 20 V. Questi componenti sono semplici da pilotare con tensioni di gate negative e le maggiori dimensioni del die permettono di ridurre la resistenza termica rispetto ai MOSFET di tipo trench, con conseguente diminuzione della temperatura del die a parità di temperatura di funzionamento.

Disponibile in configurazione 2-PACK (a semiponte), NXH010P120MNF è un dispositivo con RDS(on) di 10 mohm alloggiato in un package F1 mentre NXH006P120MNF2 è un dispositivo con RDS(on) di 6 mohm ospitato in un package F2.

Entrambi i package dispongono di pin di tipo a pressione (press fit) e quindi risultano particolarmente adatti per impieghi in campo industriale, mentre il termistore a coefficiente di temperatura negativo (NTC) integrato semplifica il monitoraggio della temperatura.

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