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Transphorm: transistors GaN 600V

Pubblicato il 7 aprile 2015

Transphorm ha annunciato, in collaborazione con ON Semiconductor, l’introduzione di due transistors cascode a 600V di nitruro di gallio (GaN). La realizzazione di nuovi dispositivi si basa sulla partnership tra Transphorm e ON Semiconductor per portare sul mercato soluzioni di alimentazione a base di GaN. Con tipiche on-resistance di 150 e 290 mΩ, i due nuovi prodotti GaN, TPH3202PS e TPH3206PS, sono offerti in un package TO-220 per una facile integrazione. La scheda di valutazione NCP1397GANGEVB è offerta come un progetto di riferimento completo in modo che i clienti possano implementare transistor cascode GaN nei loro progetti. La scheda di valutazione è rappresentativa di un alimentatore di produzione che è stato riprogettato per dimensioni ridotte ad alte prestazioni, evidenziando la capacità e il potenziale dei transistori GaN.  Lo stage boost assicura il 98% di efficienza e utilizza il fattore di potenza del controller di correzione NCP1654. La stage LLC DC-DC, invece, utilizza il controller a modo risonante NCP1397 per offrire un rendimento a pieno carico del 97%.

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