Transistor bipolari per automotive da Diodes

Le serie DXTN/P 78Q e 80Q di Diodes sono costituite da transistor NPN e PNP a bassissima VCE(sat) caratterizzati da una alta efficienza di conduzione ed elevate prestazioni termiche. Il produttore precisa che questi componenti sono ottimizzati per applicazioni di commutazione e controllo di potenza complesse e sono automotive-compliant.

I nuovi transistor bipolari supportano un ampio intervallo di tensione, rendendoli adatti per sistemi a 12 V, 24 V e 48 V. Sono utilizzabili per il pilotaggio dei gate MOSFET e IGBT, la commutazione di linee di potenza e carichi, la regolazione di tensione a bassa caduta di tensione (LDO), la conversione CC-CC e il pilotaggio di motori, solenoidi, relè e attuatori.

Diodes sottolinea che sono stati progettati per il funzionamento continuo fino a +175 °C ed entrambe le serie offrono tensioni di alimentazione BVCEO da 30 V a 100 V.

La serie DXTN/P 80Q offre maggiori margini per progetti complessi, con correnti nominali continue fino a 10 A e una capacità di picco impulsiva di 20 A. La tensione di saturazione (17 mV a 1 A) e una resistenza in stato attivo di 12 mΩ riducono al minimo le perdite di conduzione, consentendo un funzionamento a temperature più basse e una maggiore efficienza.

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