Texas Instruments: MOSFET di potenza NexFET N-channel

Texas Instruments  ha presentato 11 nuovi MOSFET di potenza a canale N per la sua linea di prodotti NexFET, incluso CSD16570Q5B 25-V e CSD17570Q5B 30-V per applicazioni hot swap in un package QFN.  I MOSFET CSD16570Q5B e CSD17570Q5B NexFET offrono elevate efficienze di conversione di potenza a correnti più elevate in un package di 0.6 mm x 1 mm, garantendo al tempo stesso un funzionamento sicuro in applicazioni server di computer e telecomunicazioni. Per esempio, il CSD16570Q5B 25-V supporta un massimo di 0,59 mΩ di Rdson (resistenza tra drain e source in condizione di saturazione), mentre il CSD17570Q5B 30 V raggiunge un massimo di 0,69 mΩ di Rdson.

I nuovi Mosfet possono essere abbinati con LM27403 per applicazioni DC / DC per formare una soluzione completa di convertitore buck sincrono e con un controller hot swap della TI come il TPS24720.

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