Tag per "mosfet"
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Toshiba presenta una serie di MOSFET con clamp attivo per il pilotaggio dei relèToshiba Electronics Europe ha realizzato una nuova serie di MOSFET che integra una struttura...
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Due nuovi MOSFET di potenza a canale N da ToshibaToshiba Electronics Europe ha ampliato la sua gamma di MOSFET di potenza a canale...
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Il Power Lab di ROHM assiste i progetti con componenti di potenzaIl “Power Lab”, un nuovo laboratorio europeo di 300 metri quadrati di superficie, dedicato...
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Toshiba amplia la sua gamma di MOSFET U-MOS-IX-HToshiba Electronics Europe ha esteso la propria linea di MOSFET basati sul suo processo...
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Toshiba launches 40V and 60V MOSFETs in DPAK packageToshiba Electronics Europe (TEE) has announced new 40V and 60V power MOSFETs based on...
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Toshiba: MOSFET a 40V e 60V con processo U-MOS-IX-H
Toshiba Electronics Europe (TEE) ha annunciato nuovi MOSFET di potenza a 40V e 60V...
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Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS IX-HToshiba Electronics Europe ha aggiunto nove versioni da 40V e cinque da 45V alla...
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Toshiba amplia la gamma di MOSFET U-MOS IX-HToshiba Electronics Europe ha aggiunto nove versioni da 40V e cinque da 45V alla...
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IR HiRel: nuova famiglia di MOSFET resistenti alle radiazioniSono destinati sostanzialmente alle applicazioni spaziali i nuovi MOSFET IRHNJ9A7130 e IRHNJ9A3130 di IR...
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Murata: DC-DC converter per pilotaggio transistor IGBT, SiC e MOSFETMurata ha ampliato la propria famiglia MGJ6, formata da convertitori DC-DC isolati da 6W a...
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Texas Instruments: MOSFET di potenza FemtoFET da 1,2 mm^2 a 60V a NTexas Instruments ha presentato un nuovo transistor di potenza FemtoFET da 60V a N...
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Toshiba Electronics Europe: MOSFET “2 in 1”Toshiba Electronics Europe ha annunciato l’introduzione di due nuovi MOSFET “2 in 1”: i...
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Toshiba Electronics Europe: MOSFET di potenza per applicazioni automobilisticheToshiba Electronics Europe ha ampliato la sua gamma di MOSFET di potenza destinati ad...
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Microelettronica in 12 puntate – 3: tecnologia Mosfet
I Mosfet, acronimo per Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor (transistor a effetto di campo di tipo metallo-ossido-semiconduttore),...
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Microelettronica in 12 puntate – 1: la giunzione PN
La microelettronica è un insieme di regole e procedure che definiscono i vari aspetti...
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Infineon e Siemens collaborano per proteggere i data centerInfineon e Siemens stanno collaborando per migliorare la protezione elettrica nei data center, impianti di...
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Cosmic Semiconductor Solutions a Pcim Europe 2026Cosmic parteciperà per la prima volta a Pcim Europe 2026, evento che si terrà a...
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29 premi per DigiKeyIn occasione dell’EDS Leadership Summit 2026, evento tenutosi dal 18 al 22 maggio a...
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Nuovo dispositivo ICeGaN da 650 V da CGDCambridge GaN Devices (CGD) ha sviluppato un dispositivo con tecnologia GaN da 650 V...
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Advantech presenta il modulo wireless AIW-411Advantech ha presentato AIW-411, un compatto modulo MCU wireless OSM Size-0 (30×15 mm) basato...
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Soluzione di conformità ASA-ML da Rohde & SchwarzRohde & Schwarz ha presentato una nuova soluzione di conformità ASA Motion Link per...
