Renesas presenta uno switch GaN bidirezionale

Renesas ha presentato uno switch bidirezionale basato su tecnologia GaN e depletion mode (d mode). Il nuovo componente può bloccare sia correnti positive che negative in un unico dispositivo e dispone di blocco in DC integrato. Il produttore precisa che il dispositivo ad alta tensione TP65B110HRU semplifica la progettazione dei convertitori di potenza e sostituisce i tradizionali switch FET back to back con un unico dispositivo a basse perdite, a commutazione rapida e semplice da pilotare. Il nuovo switch è destinato ad applicazioni come microinverter solari monostadio, data center per l’AI e caricabatterie di bordo per veicoli elettrici.

TP65B110HRU combina un chip GaN bidirezionale ad alta tensione in d mode, co packaged con due Mosfet al silicio a bassa tensione, caratterizzati da elevata tensione di soglia (3 V), ampio margine di gate (± 20 V) e diodi body integrati. Rispetto ai dispositivi GaN bidirezionali in modalità e mode, lo switch GaN bidirezionale di Renesas offre compatibilità con gate driver standard che non richiedono una polarizzazione negativa del gate. Le topologie di conversione di potenza che richiedono hard switching possono inoltre beneficiare della sua elevata capacità dv/dt superiore a 100 V/ns, con ringing minimo e ritardi ridotti durante le transizioni di accensione e spegnimento.

Per quanto riguarda i vantaggi, l’azienda sottolinea che il nuovo componente permette ai progettisti di ottenere livelli di efficienza più elevati riducendo il numero di componenti di commutazione, l’area del PCB e il costo complessivo del sistema.

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