Ramtron: FM21L16, Fram parallela da 2 Mb - Elettronica Plus

Ramtron: FM21L16, Fram parallela da 2 Mb

Pubblicato il 4 dicembre 2007

Ramtron ha ampliato la propria famiglia di dispositivi Fram a alta densità con l’introduzione di una memoria parallela da 2 Mb. Si tratta del dispositivo FM21L16, una Fram non volatile 128 K x 16, alimentata a 3 V, offerta in un contenitore Tsop-II a 44 pin. È caratterizzata da alta velocità di accesso, operazioni di scrittura NoDelay, un numero di cicli scrittura/lettura praticamente illimitato e basso consumo. Compatibile a livello di pin con le Ram statiche asincrone (Sram), si rivolge a una vasta gamma di applicazioni tra cui controlli industriali basati su Sram, contatori di utenze, sistemi utilizzati nei settori medico, automobilistico e militare, giochi elettronici, computer e via dicendo.

Dotata di interfaccia parallela standard, può compiere operazioni di lettura e scrittura alla velocità del bus. Assicura inoltre una durata di almeno 100 trilioni di operazioni di scrittura e oltre dieci anni di conservazione dei dati. Offre un tempo di accesso di 60 ns, un tempo di ciclo di 110 ns e impiega un avanzato meccanismo di protezione per evitare le scritture accidentali e la corruzione dei dati.

Può essere utilizzata come sostituzione diretta per le Sram asincrone standard ma, a differenza di queste ultime, non richiede una batteria per il backup dei dati, il che si traduce in un significativo miglioramento dell’affidabilità a livello di componente e di sistema. Al contrario delle Sram con batteria tampone, inoltre, rappresenta una soluzione realmente “a montaggio superficiale”, poiché non richiede fasi di rilavorazione per il collegamento delle batterie; è altresì altamente resistente all’umidità, agli urti e alle vibrazioni.

Munita di un’interfaccia parallela standard verso i moderni microprocessori a alte prestazioni, offre una modalità di pagina a alta velocità che permette di raggiungere una larghezza di banda di 80 Mbyte/s (valore di picco) e vanta una corrente operativa inferiore rispetto alle Sram standard, poiché assorbe 18 mA per le operazioni di lettura/scrittura e solo 5 µA nella modalità sleep. Funziona con un’alimentazione compresa tra 2,7 e 3,6 V nella gamma di temperature industriali, da -40 a +85 °C.