Package ad alte prestazioni termiche per MOSFET e diodi SiC di WeEn

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WeEn Semiconductors ha presentato i suoi MOSFET al carburo di silicio (SiC) e diodi a barriera Schottky (SBD) in package TSPAK ad alta efficienza termica. I MOSFET TSPAK offrono tensioni nominali da 650 V a 1700 V e resistenze di conduzione (RDS(ON)) da 20 a 150 mΩ. Gli SBD TSPAK sono disponibili con tensioni da 650 V a 1200 V e correnti nominali da 10 A a 40 A.

Sono di particolare interesse i nuovi package che consentono agli ingegneri di migliorare l’efficienza, ridurre i fattori di forma, estendere l’affidabilità e ridurre le EMI per un’ampia varietà di applicazioni ad alta potenza.

La dissipazione di calore è realizzata dal pad termico sulla superficie del dispositivo SiC anziché tramite un substrato PCB. Il produttore dichiara che le tecnologie TSPAK possono ridurre la resistenza termica J-A (giunzione-ambiente) fino al 16% rispetto ai dispositivi convenzionali. I vantaggi si riflettono sulla possibilità di semplificare la progettazione della gestione termica, ridurre le perdite e aumentare la densità di potenza.

Riducendo al minimo o eliminando la necessità di un complesso sistema di raffreddamento PCB, i dispositivi TSPAK riducono il numero di componenti e i costi di sistema. Un altro vantaggio sottolineato dal produttore consiste nella riduzione delle EMI dato che la corrente circolante, che crea il campo magnetico, non è più bloccata dai percorsi termici necessari nei tradizionali sistemi di raffreddamento inferiore, riducendo al minimo le interferenze magnetiche.

Le tecnologie SiC TSPAK di WeEn sono utilizzabili per realizzare caricabatterie di bordo e convertitori CC-CC da alta a bassa tensione in veicoli elettrici (EV), compressori HVAC per autoveicoli, stazioni di ricarica per veicoli, sistemi fotovoltaici e alimentatori per server di elaborazione e telecomunicazioni.

Tutti i prodotti sono disponibili in varianti industrial grade e automotive grade.

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