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Nuovi IC per controller PWM da ROHM

Pubblicato il 18 novembre 2024
ROHM

ROHM ha sviluppato una serie di nuovi circuiti integrati per controller PWM ottimizzati per l’alimentazione AC-DC in varie applicazioni industriali. A seconda dell’intervallo di tensione AC in ingresso dell’applicazione,infatti,  per il circuito di alimentazione viene utilizzata un’ampia gamma di semiconduttori. Ciascuno di questi semiconduttori richiede diversi livelli di blocco della sottotensione per evitare il thermal runaway in caso di caduta della tensione di alimentazione/gate. Per risolvere questo problema, ROHM ha sviluppato 4 varianti con diversi livelli di blocco della sottotensione: il modello BD28C55FJ-LB per MOSFET a bassa tensione, il modello BD28C54FJ-LB per i MOSFET a media e alta tensione, il modello BD28C57LFJ-LB per gli IGBT e il modello BD28C57HFJ-LB per i MOSFET SiC. L’azienda precisa inoltre che è già iniziata la produzione in volumi delle quattro varianti.

Per le principali caratteristiche tecniche, i nuovi prodotti sono caratterizzati da un intervallo di tensione di ingresso compreso tra 6,9 V e 28,0 V, una corrente di circuito massima di 2,0 mA, una corrente di avviamento massima di 75 µA e un duty cycle massimo del 50%, offerti nel package standard SOP-J8 (equivalente al JEDEC SOIC8). I prodotti sono compatibili pin-to-pin con i prodotti standard comunemente utilizzati nei circuiti di alimentazione. Tutte le varianti sono dotate di una funzione di blocco della sottotensione (UVLO) a ripristino automatico con isteresi di tensione. Questo migliora significativamente l’affidabilità dell’applicazione, riducendo l’errore di tensione di soglia a ±5%, rispetto al tipico ±10% dei prodotti standard.

Un altro particolare interessante è che questi circuiti integrati sono progettati per l’approvvigionamento a lungo termine, garantendo così il funzionamento continuo di apparecchiature industriali di lunga durata. In futuro, la line-up sarà ulteriormente ampliata per includere prodotti adatti a pilotare MOSFET ad alta tensione e dispositivi GaN. Inoltre è iprevisto un numero maggiore di varianti per supportare un duty cycle massimo del 100%.



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