Nuovi gate driver da STMicroelectronics

STMicroelectronics ha realizzato due nuovi gate driver che ottimizzano i vantaggi della tecnologia GaN. Si tratta due dispositivi half-bridge ad alta velocità, siglati rispettivamente Stdriveg212 e Stdriveg612 utilizzabili per applicazioni di potenza e controllo del movimento in settori come quelli industriale e consumer. Tra le peculiarità di questi componenti ci sono il supporto per tensioni elevate e frequenze di commutazione superiori a 1 MHz, con protezioni integrate come UVLO, interblocco e spegnimento intelligente. I regolatori LDO integrati hanno un’elevata capacità di corrente.

Il modello Stdriveg612 è una soluzione a 600 V utilizzabile per PFC, convertitori AC-DC e DC-DC, azionamenti per motori industriali e inverter solari. Il driver combina il pilotaggio del gate GaN a 5 V, un diodo bootstrap integrato e protezione da sovracorrente Smart Shutdown (questa funzione mantiene automaticamente gli switch spenti per il tempo necessario al raffreddamento) per semplificare i progetti GaN ad alta tensione.

Il modello Stdriveg212, invece, è concepito per applicazioni a media tensione fino a 220 V, come per esempio convertitori compatti, azionamenti per motori, robotica e mobilità elettrica. Il componente offre un avvio high-side rapido di 5 μs, temporizzazione precisa e controllo dV/dt ottimizzato.

I nuovi gate driver di STMicroelectronics sono qualificati per funzionare da -40 °C a 125 °C.

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