Nuova tecnologia produttiva da imec e EVG

All’Ieee Electronic Components and Technology Conference (Ectc) 2026, imec ed EV Group (EVG) hanno presentato una tecnologia di bonding ibrido wafer-to-wafer ad alta resa con passo dei pad di interconnessione in rame di 200 nm.

Zsolt Tokei, membro di imec e direttore del programma di integrazione di sistemi 3D ha dichiarato: “Questo risultato rivoluzionario nel bonding ibrido fine-pitch è stato ottenuto ottimizzando congiuntamente tutti gli elementi critici del flusso di processo di bonding ibrido di imec. Tra questi, l’utilizzo di SiCN come materiale dielettrico (introdotto per la prima volta da imec) e una fase di polishing chimico-meccanica (CMP) prima del bonding. Quest’ultima è stata ottimizzata per un’elevata uniformità su tutta la superficie del wafer, al fine di produrre superfici dielettriche estremamente piatte, ottenendo al contempo un incavo controllato di pochi nanometri per i pad in rame. L’elevata precisione e il controllo dell’allineamento, resi possibili dallo strumento di bonding wafer di EVG, sono stati ulteriormente facilitati da un design migliorato dei pad in rame e da correzioni litografiche pre-bonding.”

Paul Lindner, direttore tecnologico esecutivo di EV Group, ha dichiarato: “La consolidata collaborazione con imec riflette l’importante ruolo che il wafer bonding continua a svolgere nel consentire lo sviluppo di dispositivi a semiconduttore di nuova generazione. In oltre trent’anni di collaborazione, abbiamo dimostrato come una stretta cooperazione tra fornitori di apparecchiature e organizzazioni di ricerca leader come imec possa guidare progressi significativi nella tecnologia di processo. Non vediamo l’ora di continuare questo lavoro per supportare le future architetture dei dispositivi e per rafforzare la collaborazione nell’intero ecosistema globale dei semiconduttori.”

Le due aziende hanno dichiarato che intendono ulteriormente sviluppare la roadmap del bonding ibrido wafer-to-wafer, a supporto dei casi d’uso di stacking di livelli logico-logico e memoria-logico che richiedono un livello estremamente elevato di densità di interconnessione.

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