La quinta generazione di memorie BiCS FLASH di Kioxia

Kioxia Europeha sviluppato una memoria BiCS FLASH tridimensionale (3D) di quinta generazione con una struttura a 112 strati impilati verticalmente.

Kioxia prevede di iniziare a spedire i campioni del nuovo dispositivo per applicazioni specifiche nel corso del primo trimestre del 2020.

Questa nuova memoria ha una capacità di 512 gigabit (64 gigabyte) e utilizza la tecnologia a 3 bit per cella (cella a triplo livello, TLC).

Kioxia ha precisato che in futuro applicherà la nuova tecnologia di processo di quinta generazione a dispositivi di capacità superiore, come i dispositivi TLC da 1 terabit (128 gigabyte) e a quattro bit per cella (cella quadrupla, QLC) da 1,33 terabit.

Kioxia sottolinea che, rispetto alle versioni realizzate con processo a 96 strati, le nuove memorie a 112 strati hanno una densità delle matrici di celle di circa il 20% maggiore e la nuova tecnologia permette di migliorare la velocità dell’interfaccia del 50%.

La quinta generazione di dispositivi BiCS FLASH è stata sviluppata in collaborazione con il partner tecnologico e di produzione Western Digital Corporation.

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