Infineon’s new CoolSiC MOSFETs 2000 V

Infineon Technologies introduces the new CoolSiC MOSFETs 2000 V in the TO-247PLUS-4-HCC package. The CoolSiC MOSFETs offer a higher DC link voltage so that the power can be increased without increasing the current. It is the first discrete silicon carbide device with a breakdown voltage of 2000 V on the market and comes in a TO-247PLUS-4-HCC package with a creepage distance of 14 mm and clearance distance of 5.4 mm. With low switching losses, the devices are ideal for solar (e.g. string inverters) as well as energy storage systems and electric vehicle charging applications.

The CoolSiC MOSFET 2000 V product family is ideally suited for high DC link systems with up to 1500 V DC. Compared to 1700 V SiC MOSFETs, the devices also provide a sufficiently high overvoltage margin for 1500 V DC systems. The CoolSiC MOSFETs deliver a benchmark gate threshold voltage of 4.5 V and are equipped with a robust body diode for hard commutation. Due to the .XT connection technology, the components offer first-class thermal performance. They are also highly resistant to humidity.

In addition to the CoolSiC MOSFETs 2000 V, Infineon will soon be launching the matching CoolSiC diodes: The first launch will be the 2000 V diode portfolio in the TO-247PLUS 4-pin package in the third quarter of 2024, followed by the 2000 V CoolSiC diode portfolio in the TO-247-2 package in the final quarter of 2024. These diodes are particularly suitable for solar applications. A matching gate driver portfolio is also available.

Infineon also offers a suitable evaluation board: the EVAL-COOLSIC-2KVHCC. Developers can use the board as a precise universal test platform to evaluate all CoolSiC MOSFETs and diodes 2000 V and the EiceDRIVER Compact Single Channel Isolated Gate Driver 1ED31xx product family through double pulse or continuous PWM operation.

Contenuti correlati

• 
  Driver radiation-hardened da Infineon

  RIC70115 è un driver per Hemt (High-Electron Mobility Transistor) di Infineon. Peculiarità di questo nuovo componente è la resistenza alle radiazioni (Rad Hard) che lo rende utilizzabile per applicazioni satellitari e spaziali ad alta affidabilità, dove le...
• 
  I nuovi Mosfet Super Junction da 600 V di Rohm

  Rohm  ha ampliato la gamma di Mosfet Super Junction da 600 V con due nuove serie, siglate rispettivamente R60xxXNx e R60xxWNx. Una peculiarità interessante è che l’azienda propone questi componenti in un package per montaggio superficiale dalle elevate...
• 
  Package innovativo per il nuovo Mosfet di AOS

  Alpha and Omega Semiconductor (AOS) ha presentato AOPL66801, un Mosfet a 80 V caratterizzato da un package innovativo. Il nuovo componente utilizza infatti un DFN6x5 AmpStack, basato su una tecnologia a die stacked che consente la realizzazione...
• 
  Infineon inaugura la Smart Power Fab

  L’inaugurazione a Dresda della Smart Power Fab di Infineon costituisce un deciso passo avanti per la produzione di semiconduttori in Europa. Grazie a un investimento di cinque miliardi di euro sono stati creati 1.000 nuovi posti di...
• 
  Infineon rafforza la sua posizione nei sensori

  Infineon  e ams Osram hanno comunicato il completamento dell’operazione di acquisizione del portafoglio di sensori analogici/mixed signal non ottici annunciata lo scorso mese di febbraio. Con questa acquisizione, Infineon rafforza la sua posizione nel settore dei sensori...
• 
  Toshiba amplia la gamma di Mosfet di potenza

  Toshiba Electronics Europe ha realizzato un nuovo Mosfet di potenza a canale N da 80 V destinato ad applicazioni come per esempio alimentatori industriali switching ad alta efficienza integrati in data center e stazioni base di comunicazione....
• 
  Nove Mosfet di potenza da Toshiba

  Toshiba ha aggiunto alla sua offerta di Mosfet di potenza nove dispositivi disponibili in tre tipi di package a elevata dissipazione di calore. La nuova gamma utilizza infatti i package SOT-23F, TSOP6F e UDFN6B e sono destinati a...
• 
  Rohm amplia l’offerta di Mosfet per automotive

  Sono destinati ai sistemi di alimentazione in ambito automotive i nuovi Mosfet della serie AG16xFNxx di Rohm. Si tratta di componenti da 80V progettati per i sistemi di alimentazione a 48 V che si stanno affermando come...
• 
  Infineon e Siemens collaborano per proteggere i data center

  Infineon e Siemens stanno collaborando per migliorare la protezione elettrica nei data center, impianti di produzione e sistemi di accumulo a batteria. Nell’ambito della collaborazione, Infineon fornirà a Siemens moduli di potenza con tecnologia SiC da utilizzare nei...
• 
  Toshiba: Mosfet a 80 V per automotive

  I Mosfet XPH2R608QB e XPH3R908QB di Toshiba sono componenti a canale N da 80 V conformi allo standard AEC-Q101, che espandono la gamma a supporto dei sistemi automotive a 48 V. Questi prodotti sono realizzati utilizzando il...